21ic电子技术开发论坛 › 综合技术交流 › 电源技术 › AOZ1014
返回列表 发新帖我要提问

AOZ1014

[复制链接]
 楼主| donglm79 发表于 2007-1-5 14:56 | 显示全部楼层 |阅读模式
dc, os, 封装, MOS, ic
话题：推荐一款DC-DC降压IC&nbsp;AOZ1014，5A电流，SO-8封装，整合PWM+MOS参数：&nbsp;<br />1.Vin=4.5v-16v&nbsp;<br /><br />2.Vout=0.8v-16V&nbsp;<br /><br />3.Iout=5A&nbsp;<br /><br />4.工作频率：固定500KHZ&nbsp;<br /><br />5.最大占空比：100%&nbsp;<br /><br />6.保护功能：短路保护、过流保护、过温保护&nbsp;<br /><br />7.软启动功能：4MS&nbsp;<br /><br />8.SOP-8封装&nbsp;<br /><br />9.内部整合32M内阻PMOS&nbsp;
回复 赏

举报

相关帖子
 楼主| donglm79 发表于 2007-1-5 14:58 | 显示全部楼层

PDF

这是AOZ1014的PDF <br /> 相关链接:<a href='https://bbs.21ic.com/upfiles/img/20071/200715145848262.pdf'>https://bbs.21ic.com/upfiles/img/20071/200715145848262.pdf</a>
回复 赏

举报

 楼主| donglm79 发表于 2007-1-6 09:28 | 显示全部楼层

效率高

AOZ1014最大的优势在他的效率和温度，纹波，效率在12V输入8V输出的前提可以达到95%，输出5V可以达到92%在输出3.3可以达到90%。<br /><br /><br /><br /><br /><br /><br /><br /><br /><br /><br /><br /><br /><br /><br /><br /><br /><br /><br /><br /><br /><br /><br /><br /><br /><br /><br /><br /><br /><br /><br /><br /><br /><br />5
回复 赏

举报

davidli88 发表于 2007-1-6 11:06 | 显示全部楼层

DC-DC需要在特定条件下才能获得高效率

效率夸大了很多，非同步整流DC-DC，在3.3V输出时效率能达到85%就很不错了<br />12V输入、3.3V输出时，占空比约30%，电路的损耗为：<br />1、片内P-MOS管导通损耗Prds=R*I*I*D=0.032*5*5*0.3=0.24W,<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;片内P-MOS管Tr、Tf之和为50nS，则开关损耗<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;Psw=0.5*U*I*(Tr+Tf)*F=0.5*12*5*0.3*50E-9*500000=0.225W<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;芯片功耗以50mW计（含P-MOS管的驱动功率20mW）<br />2、继流二极管压降以0.5V计（可以用示波器测量这部份压降），则额定输出时二极管平均功耗&nbsp;Pd=0。5*I*（1-D）=0.5*5*0.7=1.75W<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;输入、输出压差较大时，由于开关管的占空比比较小，继流二极管的导通时间比较长，是电路中功耗最大的部份，只有用同步整流，才能减小这部份损耗；<br />3、储能电感损耗，满载时电感工作在电流连续模式，磁损很小可忽略不计，主要以铜损为主，设电感直流电阻为20毫欧，则铜损Pdis（L）=I*I*ESR（L）=&nbsp;5*5*0.02=0.5W<br /><br />以上电路损耗的总和为0.24+0.225+0.05+1.75+0.5=2.765W<br />则12V输入3.3V输出的理论效率η=3.3*5/(3.3*5+2.765)=0.856=85.6%.<br />实际应用时，由于磁损及布线电阻的影响，实际效率还要降几个百分点
回复 赏

举报

qjy_dali 发表于 2007-1-6 16:09 | 显示全部楼层

这东东做成同步整流就更厉害了，呵呵

  
回复 赏

举报

月光宝盒 发表于 2007-1-8 15:04 | 显示全部楼层

AOZ1014

有没有输入电压范围再大一些的？！◎<br /><br />0～40V!
回复 赏

举报

davidli88 发表于 2007-1-8 15:23 | 显示全部楼层

受P-MOSFET的工艺限制，40V比较困难

40V输入电压，需要80V以上的低Rds的P-MOSFET，工艺比较困难
回复 赏

举报

haydn 发表于 2007-1-9 12:46 | 显示全部楼层

当初本来想用的

板子都LAYOUT好了,可是一采购,才知道成本太高,且无PIN&nbsp;TO&nbsp;PIN的元件可替换,最后只好改了,毕竟2596的可替代品更多.
回复 赏

举报

 楼主| donglm79 发表于 2007-1-9 12:56 | 显示全部楼层

成本不会很高吧

成本不是很高吧，比LM2596要便宜的很多，要看看你有多大的量，价钱是很好商量的。
回复 赏

举报

 楼主| donglm79 发表于 2007-1-9 13:00 | 显示全部楼层

效率

12V输入3.3V输出3A电流，效率要做到90%是有点难，一般客户自己LAYOUT效率是在85%左右，但我们原厂做出来的DEMO板可以达到90%，可能是这棵IC的极限吧。
回复 赏

举报

 楼主| donglm79 发表于 2007-1-10 08:38 | 显示全部楼层

温度底

AOZ1014在同类DC-DC中，温度是最底的，在12V输入5V，3A输出，在常温25度的前提下测试，IC的表面温度是63度左右，4A的输出温度是在80度左右，2A输出温度是在50度左右。
回复 赏

举报

 楼主| donglm79 发表于 2007-1-11 16:53 | 显示全部楼层

量产电路图

这是AOZ1014的量产电路图 <br /> 相关链接:<a href='https://bbs.21ic.com/upfiles/img/20071/2007111165251251.pdf'>https://bbs.21ic.com/upfiles/img/20071/2007111165251251.pdf</a>
回复 赏

举报

 楼主| donglm79 发表于 2007-1-11 16:57 | 显示全部楼层

LAYOUT注意事项

AOZ1014-----PIC&nbsp;LAUOUT&nbsp;注意事项<br />1.PGND和SGND分开，单点连接<br />&nbsp;&nbsp;避免PGND噪音进入SGND，<br />2.电源输入滤波电容离VIN&nbsp;PIN&nbsp;和PGND越近越好<br />3.两条功率路径尽可能短：<br />&nbsp;&nbsp;LXPIN&nbsp;-&gt&nbsp;L<br />&nbsp;&nbsp;CO&nbsp;-&gt&nbsp;&nbsp;PGNDPIN<br />4.敏感信号线远离LX，&nbsp;LX周围铜箔面积不能太大，避免影响其它电路<br />5.FB&nbsp;PIN&nbsp;离R1，R2分压点越近越好<br />&nbsp;&nbsp;R1，R2会流入无效电流，针对在实际使用时的负载电流，如果不将此无效电流设定为可以忽视的数值，会导致效率特性的恶化。因此，需要将RA、RB值设定为足够大的数值。但是，由于RA、RB值过大(1&nbsp;MΩ以上)会比较容易地受到外来噪声的影响，因此，请在实际的应用电路中确认所受到的影响。<br />6.增加PGND&nbsp;PIN&nbsp;和&nbsp;VIN&nbsp;PIN&nbsp;周围铜箔面积<br />7.在IC&nbsp;PACKAGE下方加几个过底层地，提高散热效果<br />8、电源输出端的L、D、C、尽可能的靠近，以减少对其他的高频干扰<br />9、FB角虚旱或者悬空时会引起输出电压过高，LAY时应对此PIN旱盘加大<br />
回复 赏

举报

yixuanyuxiao 发表于 2011-1-5 15:41 | 显示全部楼层
mark
回复 赏

举报

蜡笔小白 发表于 2011-5-19 15:07 | 显示全部楼层
这个芯片可以用在恒流源电路中吗  并且可被TTL信号调制？
回复 赏

举报

xmrforever 发表于 2011-5-21 23:11 | 显示全部楼层
mark
回复 赏

举报

xhtec 发表于 2011-5-24 21:43 | 显示全部楼层
输出低压时比如3.0V,带重载比如4A时的效率是多少?请把曲线特性图贴出来~谢谢
回复 赏

举报

返回列表 发新帖
高级模式
B Color Image Link Quote Code Smilies
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

donglm79

1

主题

25

帖子

1

粉丝
快速回复 在线客服 返回列表 返回顶部