栅极驱动IC

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 楼主| bernoulli 发表于 2010-10-9 10:53 | 显示全部楼层 |阅读模式
求一款栅极/基极驱动IC

1.高速度,驱动电流在2A以上;
2.单通道,不需要浮地驱动;
3.易采购。
maychang 发表于 2010-10-9 11:33 | 显示全部楼层
没有这样选择芯片的。
开关电源控制芯片,应该根据你的电路拓扑选择,是全桥?单端反激?单端正激?……
驱动电流不够,另加电流扩展电路(注意扩展电路的速度)。
 楼主| bernoulli 发表于 2010-10-9 11:44 | 显示全部楼层
是boost电路,boss嫌推挽太慢,要求增加一级驱动,上面的要求也是根据需要写出来的,感觉和拓扑没多大关系啊
maychang 发表于 2010-10-9 11:58 | 显示全部楼层
Boost电路,你设计的是多大输出功率?需要2A驱动电流?你原来使用的控制芯片是什么型号?
在这个频率和这个电流要求下,往往是分立元件比集成电路成本更低。
 楼主| bernoulli 发表于 2010-10-9 12:02 | 显示全部楼层
设计到几个千瓦吧,主要是后期boss想测试SiC器件,不是做产品;
另外,用分立元件,推挽之类的话,怎么样确保高速度呢
maychang 发表于 2010-10-9 12:23 | 显示全部楼层
嗯,显然不是做产品。Boost电路做几千瓦,要是产品的话,成本太高。

“用分立元件,推挽之类的话,怎么样确保高速度呢”
最重要的,驱动的两管不能工作到饱和,只能工作到接近饱和而尚未饱和的区域。由于管子参数的分散性,往往需要单件手工调整。或者在电路中采取抗饱和措施,就像LSTTL芯片输出级中采用的方法。
 楼主| bernoulli 发表于 2010-10-9 12:34 | 显示全部楼层
谢谢哈,另外想问一下,栅极驱动的电流和功率大小关系是怎么样的。我一直的理解是大的驱动电流增快开关管的开关速度,稳定的开通和关断以后不就没有电流了吗?
maychang 发表于 2010-10-9 12:44 | 显示全部楼层
7楼:
对MOS管,的确如此,MOS管导通或关断之后即不再需要输入电流。所以MOS管的驱动电流是在导通和关断时的尖峰。
对双极型管则不然。
 楼主| bernoulli 发表于 2010-10-9 12:47 | 显示全部楼层
那对于MOS和IGBT的栅极驱动电流,不是越大越好吗
maychang 发表于 2010-10-9 13:17 | 显示全部楼层
9楼:
一般地说,对MOS和IGBT的驱动电流是大些好。
但,如你7楼所说,驱动仅在管子导通关断瞬间需要电流,稳定状态并不需要电流。那么对驱动电路来说,平均电流并不是很大,然而需要驱动电路有足够的电流输出能力。
另一方面,驱动电路电流输出能力提高到一定程度之后,MOS和IGBT的导通关断时间(MOS和IGBT输出上升和下降沿)不再随驱动能力增加而减少。此时MOS和IGBT导通关断时间受管子自身性能限制(如引线电感等等),无法再短。
所以无限制地提高驱动电路电流输出能力没有必要,够用即可。
maychang 发表于 2010-10-9 13:22 | 显示全部楼层
另外,驱动电路输出电流的上升下降沿必须够陡。若是驱动电路输出电流足够大,但上升下降沿不够陡,那什么用也没有。
 楼主| bernoulli 发表于 2010-10-9 17:24 | 显示全部楼层
还是不知道用什么驱动IC啊
 楼主| bernoulli 发表于 2010-10-9 17:26 | 显示全部楼层
要保证足够陡的电流上升下降沿,要采取什么具体措施呢
原野之狼 发表于 2010-10-10 01:01 | 显示全部楼层
关注一下 俺目前也在考虑这个问题
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