本帖最后由 模电=魔电 于 2017-11-1 10:28 编辑
1.简化的MOSFET等效电路
2.MOSFET开通（turn on）过程
3.MOSFET损耗——Rds和Rg电阻损耗
4.Diode损耗——肖特基不计反向恢复损耗
5.C损耗
6.IC损耗
小结
综合上述分析可知，影响效率的因素主要有Rds（on），开关频率，有效值电流。
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