[电路/定理] 并联使用MOS大电流烧毁,求解决方案

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 楼主| qq543592229 发表于 2018-1-20 18:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 qq543592229 于 2018-1-22 11:39 编辑

原理图如下图。锂电池组保护板上多颗并联N-MOS,选型的单颗MOS 150V 100A 0.004R,5颗MOS并联内阻0.0008R。测试中用6A电流放电测试并联的5颗MOS没有问题,测得压降4.5mV。当用26A电流的放电的时候 ,MOS就被烧毁,压降有1.8V,温度升温快,有150摄氏度+。 测试了几次都被烧坏,不知道是什么原因,PCB上是加了铜条的,电流过50A都没有问题。MOS驱动电路

矩阵

IO给控制信号,当IO低或者悬空,通过DSG就是高电平,当IO为高时,DSG是低电平。DSG控制并联放电MOS,CHG充电控制 原理和放电一样。



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摸摸 发表于 2018-1-20 23:16 | 显示全部楼层
没有加均流电阻?
corset 发表于 2018-1-21 11:40 | 显示全部楼层
能不能把第二张图捯饬捯饬再发上来,里面的一些网络都不知道接哪儿去了,让大家只有猜。
 楼主| qq543592229 发表于 2018-1-22 11:36 | 显示全部楼层
摸摸 发表于 2018-1-20 23:16
没有加均流电阻?

没有,只用了一个串联电阻
gx_huang 发表于 2018-1-22 13:42 | 显示全部楼层
测试一下2个MOS管的各端电压,看看是哪个MOS管没有饱和导通。
vftom3 发表于 2018-1-23 19:38 | 显示全部楼层
栅极电压低了
Siderlee 发表于 2018-1-23 20:32 | 显示全部楼层
这种多个并联的一定要注意均流;
R131  5.1Meg????

你这个就是个低频状态,查门级信号
fzp121 发表于 2018-1-23 21:02 | 显示全部楼层
Vgs是否随着电流变化也有变化?
gaoxe 发表于 2018-1-24 17:34 | 显示全部楼层
驱动功率欠佳?电压  内阻保证FET进入饱和。截止开关状态?
st.you 发表于 2018-1-26 16:30 | 显示全部楼层
MOS并联,栅极要独立加电阻的,要不然很容易震荡.
maychang 发表于 2018-1-26 17:11 | 显示全部楼层
st.you 发表于 2018-1-26 16:30
MOS并联,栅极要独立加电阻的,要不然很容易震荡.

我也这样猜测。
cpu51 发表于 2018-1-26 17:27 | 显示全部楼层
又想请大神解决问题,又不想给大神看全图。
七颗咖啡豆 发表于 2018-1-30 16:57 | 显示全部楼层
没有什么问题是一个示波器不能解决的,如果有,那就用两个示波器
william008 发表于 2018-1-30 17:27 | 显示全部楼层
我猜想是米勒电容造成的。
大电流的MOS管的米勒电容都不小,R131有5.1M,造成MOS管开通很慢,甚至有剧烈震荡,开关损耗很高,所以烧了。
你用示波器看看MOS管的波形就知道了
emco 发表于 2018-2-18 11:31 | 显示全部楼层
MOS管没有完全导通,栅极电压太低了,你可以测一下MOS管栅极的波形看一下。
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