[射频芯片] 高频MOS管输入输出匹配参数怎么选

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 楼主| QQ1838766976 发表于 2018-12-11 21:58 | 显示全部楼层 |阅读模式
谁知道高频MOS管输入输出匹配参数怎么选啊,做功放,好多国产,进口高频管要么参数不全,要么给的参数和实际工作点不同,有设计参考吗?
 楼主| QQ1838766976 发表于 2018-12-11 22:06 | 显示全部楼层
重复发了,怎么删除啊
wf.yang 发表于 2019-1-16 07:50 | 显示全部楼层
这种情况,确实为难。

输出匹配,可以先假定晶体管所需要的负载阻抗为实数,根据 Vm = (0.8 ~ 0.9)VCC,P = Vm ^2 / (2R)求出晶体管的负载阻抗。

然后把放大器的阻抗ZL通过输出匹配网络变换,使其实部等于R。

晶体管输入端经过简单匹配(无需太好)。  

加电,用网络分析仪测试小信号增益,能达到晶体管的标称增益即可。

然后,进行功率测试,试探性调整晶体管负载阻抗的虚部,微调实部,使线性指标达到预定要求。

输出匹配网络就算基本完成了。


输入匹配网络,性对容易一些,晶体管 + 输出匹配网络 + 负载,然后加偏压,在确保无振荡的条件下,可以用网络分析仪测试晶体管的输入阻抗。

如果有振荡,可采取措施解决之,比如引入吸收电阻。

依测得的输入阻抗,设计输入匹配网络,然后连接、调试。直至合格。

过程中的一些具体注意事项,自己考虑吧。主要是保护仪器,保护晶体管。
无踪无痕 发表于 2019-2-22 16:16 | 显示全部楼层
路过看看。
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