大家好：<br /> 我目前在做一个项目，需要用的可控硅，最近看到一份资料，介绍三象限可控硅和四象限可控硅的区别，资料上介绍三象限可控硅有很高的dv/dt（典型值4000V/us），在控制感性负载时不要要加RC吸收回路来抑制dv/dt。<br /> 请问有人用过三象限的可控硅吗？是否有必要加RC吸收回路？？<br /> 望各位大侠指教！！<br /> 谢谢！！！ |
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楼主
发表于 2008-10-29 11:56
