PIC16F1823的EEPROM能读写几次？

发表于 2012-3-28 16:32

数据手册没写求解？
想擦写10-20W次甚至100W次不知道行不行

登录 · 发表于 2012-3-28 16:38

怎么会没有？DATASHEET中电气特性->里面找！ 1824的：

发表于 2012-3-28 16:51

读无限制，写有次数限制。

写的总次数与电源电压和环境温度有一定影响，保守至少30万次以上，如果能保证VCC波动不是特别大，环境温度-10~70度范围内估计100万次也问题不大。

发表于 2012-3-28 17:01

最多100W次

发表于 2012-3-28 17:10

根据二楼的电气特性：字节耐擦写能力100K 与刷新前的总擦除/写次数1M 能不能具体解释下什么意思:$

发表于 2012-3-28 20:14

根据二楼的电气特性：字节耐擦写能力100K 与刷新前的总擦除/写次数1M 能不能具体解释下什么意思:$
lzy_tjau 发表于 2012-3-28 17:10

这个没有研究过，你看看DATASHEET

发表于 2012-3-29 08:45

DATASHEET就这些内容了。。。没明白耐擦写能力100K什么意思？

发表于 2012-3-29 09:39

单个字节100K次，所有的字节加起来的总次数1M，老的MCU中的EEPROM好像都没这个术语

发表于 2012-3-29 11:20

10万次一下，这是极限了

发表于 2012-3-29 13:41

一般器件在常温下的FLASH 是10W, EEPROM 100W!

发表于 2012-3-29 14:29

本帖最后由 asspeed 于 2012-3-29 14:30 编辑

D116表示一个BYTE位置的最大擦写次数能保证的规格是100K。
而D120表示当你进行所有擦写的次数总共达到1M时,必须要执行一次REFRESH操作.
为什么需要这样做,看11.2章节

发表于 2012-3-30 12:18

明白了谢谢各位:)

发表于 2012-3-30 12:33

写E2PROM手册上有提到，大概10W次。理论值

发表于 2018-7-25 09:51

asspeed 发表于 2012-3-29 14:29
D116表示一个BYTE位置的最大擦写次数能保证的规格是100K。
而D120表示当你进行所有擦写的次数总共达到1M时, ...

如何执行REFRESH操作？