求助各位前辈，关于MOS驱动开关速度（ns级宽度脉冲）

发表于 2012-7-24 13:01

本帖最后由 cot45 于 2012-9-18 14:05 编辑

00000000

发表于 2012-7-24 14:06

驱动的功能是什么？

发表于 2012-7-24 14:45

2# xygyszb

栅极驱动，TTL的电平不到Vgs。驱动IC也能提供大的sink和souce电流。

发表于 2012-7-24 21:15

楼主还是主要从器件上作**吧，例如选用VGS小，栅电容密勒电容小的MOS
TTL就算电压能达到驱动要求，其驱动电流的能力不足，按楼主的要求至少要上A

发表于 2012-7-25 08:39

4# MCU52

谢谢您

嗯，是的。我现在准备备用的CMOS，Qg3.3nc，Qgd和Qgs大概都在1以下（10V），但是这些MOS的开关延迟都是几ns，现在能否继续尽量减小这些延迟。
之所用驱动IC就是希望驱动IC能够提供大的驱动电流，现在的IC可以提供几A的电流。

再请教下，Vds为100V的，加100V，是不是管子工作一会儿就没了。。。。

发表于 2012-7-25 09:55

是B超上用的吗？
驱动除电压要求外，输出阻抗还要小。一些专用MOS管驱动电路的输出电流都达到甚至超过1A。这样才能减小栅极电容的影响。

发表于 2012-7-25 10:30

6# XZL

嗯，时间应该通过驱动的大电流和MOS的小电容小延迟两个来共同实现吧？
能否进一步指点？谢谢:handshake

发表于 2012-7-25 16:30

继续求助

发表于 2012-7-25 21:11

5# cot45
这些是通用功率MOS的特征。还不能达到楼主的要求，至少要再减半的器件。
如果输出电流不大的话BJT到是很容易达到楼主的要求。耐压肯定要大于100V才行

发表于 2012-7-25 21:38

9# MCU52
电流要2A。
看了很多器件参数，仅仅延时就已经影响很大了。正在想其他办法。

谢谢

发表于 2012-7-25 21:39

9# MCU52

不知道有没有参数更小的MOS，考虑耐压200的话，那么栅极电荷似乎小不下去了。

发表于 2012-7-26 11:32

求助。求指点

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