ic明明受vbe的控制,为什么还说三极管是电流控制器件?

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 楼主| 风骚骚 发表于 2014-7-1 18:30 | 显示全部楼层 |阅读模式
复习模拟电子发现的一个疑问:
ic明明受vbe的控制(ic=gmv1),为什么还说三极管是电流控制器件?
maychang 发表于 2014-7-1 18:43 | 显示全部楼层
好像前几天xukun977就此问题发起过讨论。
记得老Lgz兄在那帖中说,三极管的集电极电流与基极电流之间关系比较接近于线性,所以称为电流控制器件。
Lgz2006 发表于 2014-7-1 18:53 | 显示全部楼层
我就不相信,楼主一开始学习电路学习3极管就是“(ic=gmv1)”
还是Ic=Ib*贝塔?
bimingpan 发表于 2014-7-1 19:52 | 显示全部楼层
说是电流控制是从导电原理说的,例如NPN管:Vbe>0,发射结正偏,扩散作用使自由电子有E极移动到B极,而此时Vbc<0,集电结反偏,此时由于外加电场是反向的,PN结内没有扩散发生,但是当外建电场足够强的时候就会有漂移发生,一般由于掺杂的少数载流子很少,所以PN结在反偏情况下飘逸形成的电流极小,但是此时正偏的发射结恰好提供了足够的自由电子(少数载流子),所以漂移作用加强,形成比较大的电流,而Ibe越大,形成的电流Ice也就越大,而由于在工艺上会把栅极的厚薄会不同,导致漂移的少数载流子通过率受到不同影响,这也就是贝塔值的来历。
zjp8683463 发表于 2014-7-1 20:11 | 显示全部楼层
LZ把MOS和BJT看混了
shalixi 发表于 2014-7-1 20:24 | 显示全部楼层
看来,要扯一回。

评论

没啥好扯得  发表于 2014-7-1 20:28
hk6108 发表于 2021-9-21 23:28 | 显示全部楼层
把发射结那  0.7V  忽略了,当作  理想二极管 观之。
费解〖HK〗 发表于 2021-10-6 21:00 | 显示全部楼层
电流控制电压控制的区分,有个前提是输入在何处,默认是以基(栅)极为准的。
雪山飞狐D 发表于 2021-10-6 21:51 | 显示全部楼层
  在线性区内,小信号26mv内波动,Ic增量与Ib成正比,比例就是hfe 
雪山飞狐D 发表于 2021-10-6 22:48 | 显示全部楼层
     还有一点就是 Ic=Is E^ qVbe/ KT ,   这一段关系是e指数关系, 工程上应用的是指数中间相对线性那一段
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