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双向可控硅的保护电路中元件值的估算问题

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 楼主| qishuili 发表于 2008-5-22 15:48 | 显示全部楼层 |阅读模式
保护电路, 元件, 双向可控硅, 电压, 电感
请哪位高手介绍一下双向可控硅的保护电路及其中元件值的估算.<br />为了防止电压上升过快du/dt:有RC保护电路;防止di/dt过大:有添加限流电感.<br />
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 楼主| qishuili 发表于 2008-5-27 13:58 | 显示全部楼层

题目这么难?

难道这样的题目这么难?<br />竟无一位回答,悲哉.
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 楼主| qishuili 发表于 2008-5-28 11:39 | 显示全部楼层

答案已知

与可控硅并联<br />C:100NF<br />R:100R<br />与负载串联<br />L1:5MH<br />L2:5uH
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PowerAnts 发表于 2008-6-9 04:47 | 显示全部楼层

可控硅保护电路

由于可控硅是多子器件，与双极型晶体管一样，存在载流子的结合时间问题，因此驱动高电抗性负载时，由于电压电流相差不为零，需要加保护元件。<br /><br />可控硅能承受的最大dVcom/dt由器件本身、及结温决定，还与瞬态热阻有关，这跟双极型晶体管的二次击穿耐能相似。<br />一般情况下，用100R的碳膜电阻+100nF的薄膜电容作dVcom/dt保护，碳膜电阻需要能承受较大的浪涌电流。
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szsfy 发表于 2008-6-9 07:49 | 显示全部楼层

学习

  
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 楼主| qishuili 发表于 2008-6-12 11:39 | 显示全部楼层

好，多谢

PowerAnts&nbsp;说得没错
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