请教大家一个IGBT的问题.

发表于 2009-3-17 10:41

最近看到关于IGBT的介绍，“PNP晶体管与N沟道MOSFET组合成的IGBT称为N沟道IGBT”。王兆安《电力电子技术》P29。 以前学晶体管的时候记得PNP管的电流应该是从发射极e流到集电极c。 而这种N沟道IGBT书上介绍时电流却是从c流到e。 不知道哪位高人能帮小弟解释一下，不胜感激！

发表于 2009-3-17 13:27

看图不就知道了

发表于 2009-3-17 14:36

PNP管在IGBT内部，PNP管的E极是IGBT的C极。整个IGBT相当于基极电流非常小(电压控制)的NPN管。

发表于 2009-3-19 17:32

要是做过芯片，A图就更明显了。

发表于 2009-3-21 22:20

如果以上图看,e极的电流是不可能流到c极的,

发表于 2009-3-24 15:39

E到C 时电子流向 C到E 是电流流向 刚好  呵呵

发表于 2009-3-26 22:53

发表于 2009-5-22 12:34

PN结都是由少子到多子的电流流向。由P到N啊，这种压控沟道效应器件。

不是一样的吗