经典还是缺陷？

楼主做过高频电路的话就会明白了。你用0.01UF的直插和0.1UF，0603的封装试试就知道了，楼上有人说过了，就是考虑电容的自谐振频率，这个谐振就是电容和自身的电感决定的，电容越小，自身的电感就越小，那么它可用的频率就越高。不能简单的说0.01的就比0.1的好。选择哪个要看你的电路的工作频率。0.1uF的直插铝电解明显的不如0.1uF独石或者瓷片，因为电解电容的自身电感太大了，这是它制作工艺决定的，一圈圈卷出来的。

不是说管脚附近的电容是用来去耦的吗？
我对去耦的理解就是，IC瞬间电流过大
这个跟频率有关吗？

从图中可知
1，在小于6M的频率范围内，2.2uf的电容是主导，在大于6M的时候，咱们可以比较一下0.1uf和0.01uf的作用。这时候0.1uf与0.01uf的AC阻抗相差很小（几欧到几十欧），但是频率转折点却相差几十M。从现在的电路频率来看，已不能再与以前的低频电路相比。正如楼上所说，以前的经典现在可能不再是经典。
2，这个图只讨论容值问来题，不讨论电容介质问题，不然就跑太远了。这里讨论的只是相同介质的电容比较。假如我有个纯粹的电容（没有ESL,ESR），那我岂不是一个电容就搞定了？
3，高频电路本人也稍有涉猎，对于同样封装同样材质的电容，自谐振频率与容值的关系想必不用我说了吧。在高频耦合处估计没有人会拿个铝电解电容去做耦合电容吧。
4，楼上的可以理解为：大电容（如1uf）可以提供瞬时大电流，同时对电源线上进入IC端口处的低频噪声有抑制作用，而小电容则是滤除高频噪声。
继续拍砖。

画出等效曲线比较，用0.01uf最低阻抗比用0.01uf的更低

但要拿数据来说话。

包括电容器是什么电容器，谁产的电容器。

俺也是没事想些七七八八的事，让各位大虾见笑了！

如果不通过实践来论证充分一些，怎么有保障呢。

俺这就去试试

1，我的信号源幅度是150mV，频率分别为1M，7M，25M，40M,70M,100M的正弦波。
2，用0.1uf的瓷片电容进行衰减后幅度分别为38mV，16mV，7mV，12mV，22mV，36mV。
3，用0.01uf的瓷片电容进行衰减后幅度分别为56mV，30mV，13mV，17mV，19mV，27mV。
我得出了三个结论：1，在0.1uf和0.01uf的转折点之前，用0.1uf的电容AC阻抗要小，而且对0.01uf电容的容抗来说差值较大。
2，在0.1uf的转折点后、0.01uf的转折点前，0.1uf的容抗相对还是小些，但是差值不是很大。
3，在0.01uf电容的转折点后，两者的容抗差不多，但是0.01uf容抗较小，差值也不大。
目前只做了瓷片电容的试验，频率分的也不是很细，所以结论难免存在片面之处，但是自己有些心得。
心得：经典确实是经典，从整个频段的阻抗变化来看，0.1uf的电容容抗平均值要小于0.01uf的。特别是在0.01uf的电容转折点以前，0.1uf电容的容抗一直小于0.01uf的，与图中也吻合。虽说在0.01uf电容的转折点后0.01uf的容抗稍占优势，但是优势并不明显。从图中也可以看出上升段两者的曲线基本重合。
当然，如果确实高频成分频率较高，加个0.01uf的电容还是有很大作用的。
不过我的试验稍微证明了，经典确实是经典！至少它很占优势！
楼下的继续拍砖。

实测数据是最能说明问题的，这也是基本的科学精神。另外还要能对数据进行分析和归纳，甚至要具备某种直觉能力。

其实如果你能仔细分析前面的图表，就不会对“经典”有那么多疑虑了。

俺学习了！！！
以后一定要多想想，仔细分析问题。

珍藏， 参考，楼主精神可嘉

LZ实验很好。但是不是一个大电容并0.1uf与另一个大电容并0.01uf比较？如果不是实验就没有意义。

俺搬了一台高频信号发生器来测试的。

并联大容量电容值是多少？1uF ？ 2.2uF？10uF？抑或100uF电解电容？

0.1一般的就可以了