分享一下片内flash使用小技巧--轮询写入

在擦除或写入前关闭中断              

尽量减少对Flash的访问次数，可以通过缓存数据在RAM中，然后批量写入Flash。

启动写入后立即开始轮询。              

Flash操作必须遵循“先擦除，后写入”的原则，且擦除的最小单位是页或扇区。

将Flash存储区域划分为多个块，每个块可以存储一组数据。

Flash写入对电源噪声敏感，电压波动可能导致写入错误。

无硬件中断或DMA支持的MCU。

写入前禁用中断              

Flash写入通常需要数据对齐（如四字节对齐），因此可以将待写入的数据分段处理。

Flash的擦写次数有限，通常在10万次左右。因此，尽量减少擦除次数。

轮询写入是管理片内 Flash 的高效方法

可以预留多个页或扇区作为写入缓冲区，采用“循环写入”的方式，避免频繁擦除同一区域，从而延长Flash寿命。

均衡擦写次数，避免局部块过早损坏。

100K的次数不少了吧

低功耗时，关闭不用的外设，比如LED或音效模块，可以减少电流消耗，延长电池寿命。

使用一个索引来跟踪当前写入的位置。每次写入数据时，更新索引。

轮询完成不代表数据正确，需额外验证。

合理规划写入地址              

高频率时钟可能干扰Flash读写时序。

在写入时，如果地址等于特定的起始地址或扇区地址，则先进行擦除操作