分享一下片内flash使用小技巧--轮询写入

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逢dududu必shu 发表于 2025-7-31 23:44 | 显示全部楼层
V853 发表于 2025-8-1 21:55 | 显示全部楼层
操作前断开电源,保护电路元件。
单芯多芯 发表于 2025-8-2 10:18 | 显示全部楼层
使用时,优化数据写入策略,减少频繁擦写,比如采用电池备份RAM存储临时数据。
wex1002 发表于 2025-8-5 23:17 | 显示全部楼层
轮询写入类似不断检查Flash是否可用,保证数据写入顺畅高效。
lihuami 发表于 2025-8-7 09:45 | 显示全部楼层
在写入新的数据之前,通常需要先擦除目标地址所在的Flash扇区。这是因为Flash只能从“1”变为“0”,而不能直接从“0”变为“1”。
sdlls 发表于 2025-8-7 12:52 | 显示全部楼层
在读取数据时,需要对数据进行校验
febgxu 发表于 2025-8-7 13:43 | 显示全部楼层
可以使用原子操作或者互斥锁来保护写入过程。
mattlincoln 发表于 2025-8-7 14:28 | 显示全部楼层
可以使用轮询写入的方法,即在写入数据后, 通过延时函数 再进行下一次写入操作
hearstnorman323 发表于 2025-8-7 15:05 | 显示全部楼层
在Flash使用一段时间后,可能会出现碎片化问题,考虑使用碎片整理技术优化Flash的使用。
robincotton 发表于 2025-8-7 15:57 | 显示全部楼层
如何识别未使用的Flash扇区?
mmbs 发表于 2025-8-7 17:18 | 显示全部楼层
解锁Flash、写入数据、锁定Flash
dspmana 发表于 2025-8-8 11:13 | 显示全部楼层
清除可能存在的错误标志位,确保Flash处于可操作状态。
averyleigh 发表于 2025-8-8 11:50 | 显示全部楼层
Flash存储器有一定的写入次数限制,设计应用程序时应考虑到这一点,避免频繁写入导致Flash寿命缩短。
sanfuzi 发表于 2025-8-8 14:34 | 显示全部楼层
应尽量减少对Flash的写入操作
chenci2013 发表于 2025-8-8 15:09 | 显示全部楼层
在关键数据写入Flash时,考虑使用写入冗余,即在不同的Flash区域写入相同的数据,以提高数据的可靠性。
天天向善 发表于 2025-8-8 20:06 | 显示全部楼层
轮询就是不断询问,检查flash的状态就像不停问“这个闪存准备好了吗?”直到得到肯定答复。
qiufengsd 发表于 2025-8-8 21:34 | 显示全部楼层
Flash通常以块为单位进行写入,每个块的大小可能不同。
modesty3jonah 发表于 2025-8-10 21:11 | 显示全部楼层
为了避免在系统繁忙时进行Flash写入操作,可以将写入操作安排在系统的空闲时段,或者在特定事件发生后进行。
loutin 发表于 2025-8-10 22:27 | 显示全部楼层
使用轮询的方式检查Flash是否空闲,并逐字节或逐字写入数据。
vivilyly 发表于 2025-8-11 15:32 | 显示全部楼层
可以使用部分擦除的方法,即只擦除需要修改的部分,以减少擦除时间并提高效率。
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