三种常见的 MOS管门极驱动电路

用到专门的栅极驱动IC，它们提供了更高的驱动能力和更多的保护特性。

过大电流可能导致栅极电压过冲，需通过串联栅极电阻（Rg）限制电流。

检查驱动电压是否异常、是否直通、散热是否不足。

考虑使用专用的MOS管驱动器IC，这些IC通常集成了许多保护和优化功能，简化设计并提高可靠性。

MOS管门极驱动路径阻抗一致，避免电流分配不均。

通过自举二极管和电容为上管提供浮动驱动电压。

高压侧驱动时，自举电容需串联二极管防止反向充电。

高低侧驱动需隔离电源              

源极寄生电感会引起米勒效应，增加开关损耗。

减小栅极回路面积，缩短走线长度。

在门极与源极之间并联一个约18V的TVS二极管，以防止瞬间高压击穿MOS管。

适当增加Rg抑制振荡（通常1Ω~10Ω），但会延长开关时间。

MOS管的开关速度与其门极驱动电流密切相关。为了快速改变门极-源极（GS）电压，需要提供足够的瞬间驱动电流。

防止 Vcc 不足时 MOSFET 异常导通。

在高压或大功率应用中，需使用光耦或隔离驱动 IC（

使用NPN+PNP晶体管或专用驱动芯片（如TC4420）提供高边/低边双向驱动。

电路走线会产生寄生电感，与结电容形成LC振荡电路。

栅极走线远离高 dv/dt 的漏极走线，防止耦合干扰。

可以使用齐纳二极管或者稳压管来保护栅极免受过压损害。

在电路中加装TVS二极管，能有效抑制因电压波动造成的浪涌，保护单片机和电机等组件。