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三种常见的 MOS管门极驱动电路

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楼主: mollylawrence
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21楼
pentruman| | 2025-6-10 11:49 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览
用到专门的栅极驱动IC，它们提供了更高的驱动能力和更多的保护特性。

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22楼
bestwell| | 2025-6-10 14:50 | 只看该作者
过大电流可能导致栅极电压过冲，需通过串联栅极电阻（Rg）限制电流。

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23楼
loutin| | 2025-6-10 16:32 | 只看该作者
检查驱动电压是否异常、是否直通、散热是否不足。

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24楼
adolphcocker| | 2025-6-10 18:40 | 只看该作者
考虑使用专用的MOS管驱动器IC，这些IC通常集成了许多保护和优化功能，简化设计并提高可靠性。

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25楼
lzmm| | 2025-6-10 20:50 | 只看该作者
MOS管门极驱动路径阻抗一致，避免电流分配不均。

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26楼
bestwell| | 2025-6-12 13:19 | 只看该作者
通过自举二极管和电容为上管提供浮动驱动电压。

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27楼
ccook11| | 2025-6-12 15:25 | 只看该作者
高压侧驱动时，自举电容需串联二极管防止反向充电。

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28楼
benjaminka| | 2025-6-12 17:28 | 只看该作者
高低侧驱动需隔离电源              

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