自举电容和mos管发热

自举电容在工作时，由于内部电阻的存在，电流通过时会产生热量。这种损耗被称为ESR（等效串联电阻）损耗，是导致电容发热的主要原因之一

使用多层PCB，专设地平面减少寄生电感。

长时间使用，电容内部电阻变大，像水壶烧水一样，越烧越热。

MOS管的栅极电压不足，导致其未完全导通，压降增大，功率损耗增加

自举电容应尽量靠近 MOS 管的栅极驱动芯片（如半桥驱动器），缩短充电回路，减少寄生电感引起的电压振荡。

MOS管驱动频率太高会导致发热，因为频率与导通损耗成正比。在发热时，可以检查频率选择是否过高，并适当降低频率。

MOS管在持续导通情况下容易产生热量，导致发热。因此，需要良好的散热设计，如添加足够的辅助散热片。

上下管同时导通导致直通损耗。              

电容发热严重，纹波增大。              

MOS管工作在开关状态，而不是线性状态，以减少导通时间过长导致的发热。

内阻不是越小越好，过小可能导致功耗大，稳定性差。要根据实际应用选择合适内阻。

如果MOS管长时间工作在线性区域而非开关状态，会导致功率损耗增大，从而产生大量热量

将热敏电阻、电解电容远离MOS管发热区域。

需选用快恢复二极管或肖特基二极管（耐压≥电源电压，电流≥驱动电流），降低导通损耗和反向恢复时间，避免影响自举效率。

电容充放电别太快，要确保充得足够，免得电压不够还烧了。

优先选用低 ESR（等效串联电阻）、高频率特性的电容，如陶瓷电容（X7R/X5R 介质）或薄膜电容。铝电解电容 ESR 高、高频性能差，易导致自举电压波动。

耐压需大于电源电压（如半桥电路中，自举电容耐压需≥电源电压 + 驱动电压），避免击穿。

电容击穿可能因过电压，造成短路电流大增，需检查电压和电容规格是否匹配。

驱动电路应提供足够的电流，以快速充放电MOS管的栅极电容，减少开关时间。

选快速开关的MOSFET，能降低开关损耗，让电机运行更高效。