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[电机控制]

自举电容和mos管发热

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楼主: zerorobert
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uytyu| | 2025-6-6 13:02 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
自举电容在工作时,由于内部电阻的存在,电流通过时会产生热量。这种损耗被称为ESR(等效串联电阻)损耗,是导致电容发热的主要原因之一

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cemaj| | 2025-6-6 14:46 | 只看该作者
使用多层PCB,专设地平面减少寄生电感。

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朝生| | 2025-6-9 22:26 | 只看该作者
长时间使用,电容内部电阻变大,像水壶烧水一样,越烧越热。

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alvpeg| | 2025-6-10 09:57 | 只看该作者
MOS管的栅极电压不足,导致其未完全导通,压降增大,功率损耗增加

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chenci2013| | 2025-6-10 11:51 | 只看该作者
自举电容应尽量靠近 MOS 管的栅极驱动芯片(如半桥驱动器),缩短充电回路,减少寄生电感引起的电压振荡。

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wilhelmina2| | 2025-6-10 13:38 | 只看该作者
MOS管驱动频率太高会导致发热,因为频率与导通损耗成正比。在发热时,可以检查频率选择是否过高,并适当降低频率。

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pmp| | 2025-6-10 15:25 | 只看该作者
MOS管在持续导通情况下容易产生热量,导致发热。因此,需要良好的散热设计,如添加足够的辅助散热片。

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janewood| | 2025-6-10 17:07 | 只看该作者
上下管同时导通导致直通损耗。              

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youtome| | 2025-6-10 19:17 | 只看该作者
电容发热严重,纹波增大。              

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belindagraham| | 2025-6-10 20:58 | 只看该作者
MOS管工作在开关状态,而不是线性状态,以减少导通时间过长导致的发热。

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hmcu666| | 2025-6-11 21:49 | 只看该作者
内阻不是越小越好,过小可能导致功耗大,稳定性差。要根据实际应用选择合适内阻。

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pmp| | 2025-6-12 13:45 | 只看该作者
如果MOS管长时间工作在线性区域而非开关状态,会导致功率损耗增大,从而产生大量热量

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gygp| | 2025-6-12 15:49 | 只看该作者
将热敏电阻、电解电容远离MOS管发热区域。

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primojones| | 2025-6-12 17:51 | 只看该作者
需选用快恢复二极管或肖特基二极管(耐压≥电源电压,电流≥驱动电流),降低导通损耗和反向恢复时间,避免影响自举效率。

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MintMilk| | 2025-6-12 18:09 | 只看该作者
电容充放电别太快,要确保充得足够,免得电压不够还烧了。

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bartonalfred| | 2025-6-12 19:58 | 只看该作者
优先选用低 ESR(等效串联电阻)、高频率特性的电容,如陶瓷电容(X7R/X5R 介质)或薄膜电容。铝电解电容 ESR 高、高频性能差,易导致自举电压波动。

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uiint| | 2025-6-12 21:44 | 只看该作者
耐压需大于电源电压(如半桥电路中,自举电容耐压需≥电源电压 + 驱动电压),避免击穿。

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Pretext| | 2025-6-13 18:29 | 只看该作者
电容击穿可能因过电压,造成短路电流大增,需检查电压和电容规格是否匹配。

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abotomson| | 2025-6-15 21:04 | 只看该作者
驱动电路应提供足够的电流,以快速充放电MOS管的栅极电容,减少开关时间。

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PreWorld| | 2025-6-16 08:46 | 只看该作者
选快速开关的MOSFET,能降低开关损耗,让电机运行更高效。

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