三极管容易被静电烧毁吗？

发表于 2009-1-7 16:11

因为排线间有拔插（不带电拔插），而排线间又是通过mos管驱动（驱动光隔），现在的情况是mos管经常有坏的，我现在想换成三极管来驱动，想问一下，三极管的be或者ce被正向或者反向击穿后，能恢复正常工作吗？

发表于 2009-1-7 16:15

发表于 2009-1-7 16:25

相对MOSFET来说。。。

发表于 2009-1-7 16:27

数量太多不好加，也有可能是生产中损坏的，还有就是不明白怎么加，是加稳压二极管吗？那二极管的反应时间是太慢了

发表于 2009-1-7 18:48

分别对电源和地钳位，ESD不强时还可仅用一个电容对地并联来吸收静电。普通双极型三极管是电流型器件，除非很强的静电输入，否则不受影响，即时击穿只要不进入二次击穿态也就不会损坏，但双极型晶体管的输入电流相对MOS而言是巨大的，要注意前级的输入驱动能力。

发表于 2009-1-7 19:51

发表于 2009-1-10 22:58

请问chunyang
当电源都没有的时候，钳位二极管怎么起作用啊？
还有三极管的二次击穿态是一个什么指标？

发表于 2009-1-10 23:28

当电源都没有时，钳位当然无效
三极管的第一次击穿一般是由于UCE过大导致的，这是可逆的，如果击穿后，IC继续变大，由于本身的耗散功率限制会先达成管子烧毁，这就是二次击穿了，当然不可逆了

发表于 2009-1-11 12:44

MOSFET是非常敏感的元件，要特殊保护

发表于 2009-1-12 11:10

MOSFET的栅极驱动加过压保护二极管(IEC标准中已严格规定)