2M字节的串行Flash芯片At45DB161D单片机驱动代码

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// ATMEL串行Flash芯片At45DB161D驱动

// 采用512字节/页模式以提高代码的时间/空间效率

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#include "..\include\AT89X52.H"

#include "..\include\at45db161_drv.h"



//芯片的CS信号==由P20~P22经过3-8线译码器产生的Y2

//若采用其他方式产生CS信号，应修改AT45161_CS()函数

uint CS=0xff;

void AT45161_CS(uchar v)

{

    CS |= 0x07;          //???? ?111

    if(v==0) CS &= 0xfa; //???? ?010

    P2 = CS;

}

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// 字节写函数

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void Flash_Byte_Write(uchar v)

{

    uchar i;

    for(i=0; i<8; i++)

    {                                       //vvvv位值=>MOSI

        if(v&0x80) AT45161_MOSI = 1;

        else       AT45161_MOSI = 0;

        AT45161_CLK = 0;            //CLK为低,准备产生上升沿

        v <<= 1;                              //准备下一个位

        AT45161_CLK = 1;   //CLK为高,产生一个上升沿,移进一位

    }

}

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// 字节读函数

// 注意进入次函数之前要确保FLASH_CLK引脚为高

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void Flash_Byte_Read(uchar* v)

{

    uchar i;

    *v = 0x00;

    AT45161_MISO = 0x01;                    //设置AT45161_MISO对应的Px_y为输入

    for(i=0; i<8; i++)

    {

        AT45161_CLK = 0;       //CLK为低,产生下降沿,移出一位

        (*v) <<= 1;

        if(AT45161_MISO) (*v) += 0x01;    //取移出的那一位值

        AT45161_CLK = 1;            //CLK为高,准备产生下降沿

    }

}

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// 函数: Flash_Init()

// 参数:

// 说明: 复位AT45DB161芯片到512Bytes/Page模式,注意本函数仅

//       运行一次就够了

// 返回: 无

// 创建:

// 修改:

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void Flash_Init()

{

    AT45161_CLK = 1;                               //CLK为高

    AT45161_CS(0);

    Flash_Byte_Write(0x3d);//设置为512字节/页模式的命令==0x3d2a80a6

    Flash_Byte_Write(0x2a);

    Flash_Byte_Write(0x80);

    Flash_Byte_Write(0xa6);

    AT45161_CS(1);

}

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// 函数: Flash_Write(...)

// 参数: address:写AT45DB161D的起始地址

//       data:被写数据的缓冲区

//       nbytes:要写入的字节数

// 说明: 写一定字节的数据到AT45DB161D指定地址

// 返回: 无

// 创建:

// 修改:

// 命令格式:连续写=8位命令82H+3位任意+21位地址

//                 1000 0010  ???a aaaa aaaa aaaa aaaa aaaa

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void Flash_Write(ulong address, uchar* buf, uint nbytes)

{

    uint i;

    uchar status = 0;

    AT45161_CLK = 1;                               //CLK为高

    AT45161_CS(0);

    address |= ((ulong)0x82<<24);

    for(i=0; i<4; i++)                      //4字节命令/地址

        Flash_Byte_Write((address>>(24-8*i)) &0xff);

    while(nbytes--) Flash_Byte_Write(*buf++);

    AT45161_CS(1);

    while((status & 0x80) == 0)  

    {                    //读回状态寄存器,Bit7=1说明写成功了

        AT45161_CS(0);   //注意读状态寄存器时对CS信号的要求!

        Flash_Byte_Write(0xD7);

        Flash_Byte_Read(&status);

        AT45161_CS(1);

    }

    AT45161_CS(1);

}

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// 函数: Flash_Read(...)

// 参数: address:读AT45DB161D的起始地址

//       buf:数据缓冲区

//       nbytes:要读入的字节数

// 说明: 从AT45DB161D指定地址开始读一定字节数的数据到buf

// 返回: 无

// 创建:

// 修改:

// 命令格式:连续读=8位命令E8H+3位任意+21位地址+32个填充位

//                 1110 1000  ???a aaaa aaaa aaaa aaaa aaaa ....

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void Flash_Read(ulong address, char* buf, uint nbytes)

{

    uchar i;

    AT45161_CLK = 1;

    AT45161_CS(0);

    address |= ((ulong)0xE8<<24);   //注意ulong强制类型转换!

    for(i=0; i<4; i++)                      //4字节命令/地址

        Flash_Byte_Write((address>>(24-8*i))&0xff);

    for(i=0; i<4; i++) Flash_Byte_Write(0xff); //4字节填充位

    while(nbytes--) Flash_Byte_Read(buf++);

    AT45161_CS(1);

}

没了？扇区擦除、页擦除、块擦除呢？

是不是不完整。