关于晶体管固有的“二次击穿"

看到：晶体管固有的“二次击穿”，而MOSFET无二次击穿的问题。 我知道这可能跟它们的内部结构或工艺有关，但感觉不是很清楚，请哪位帮忙讲解一下。

“二次击穿”的原因是PN结制造缺席所致，其在高压下一次击穿后由于材料不均匀性再次局部发生“二次击穿”导致器件PN结损毁。FET管的结构和BGT管不同，其“通道”中没有PN结，故不会发生“二次击穿”。

二次击穿问题与PN结的结构和掺杂有关，相当复杂。
实用上各厂家都在datasheet中给出了安全工作区，使用双极型功率管时需要注意管子工作状态必须在安全区内。

嗯。谢谢楼上两位大师了。