MOS管开关电路

现在的问题是，mos管不能开启，开启电压上写的是2V到4v,用单片机引脚控制3.3V,VBAT是5V，之后就是不能开启，各位大神帮帮忙，谢谢了

这个位置应该用个PCH的MOS管吧？

戈卫东 发表于 2016-8-1 20:11
这个位置应该用个PCH的MOS管吧？

为什么用P沟道的呢，用P沟道的不就得加负电压了吗

邱宇sky 发表于 2016-8-1 20:18
为什么用P沟道的呢，用P沟道的不就得加负电压了吗

你是正端的开关，P型MOS的栅极如果给电压0就开通，给VCC就关闭，这样才方便可靠。

戈卫东 发表于 2016-8-1 20:20
你是正端的开关，P型MOS的栅极如果给电压0就开通，给VCC就关闭，这样才方便可靠。 ...

这个管给正向电压也应该接通呀

戈卫东 发表于 2016-8-1 20:20
你是正端的开关，P型MOS的栅极如果给电压0就开通，给VCC就关闭，这样才方便可靠。 ...

现在这种情况为什么不能导通呢

邱宇sky 发表于 2016-8-1 20:23
现在这种情况为什么不能导通呢

建议先找本讲了MOS管的模电书看看。。。。。。。

你这个电路要想让右边输出接近电源电压，MOS管门极要加上比电源电压再高一个开启电压的电压。

maychang 发表于 2016-8-1 20:26
你这个电路要想让右边输出接近电源电压，MOS管门极要加上比电源电压再高一个开启电压的电压。 ...

为什么呢

邱宇sky 发表于 2016-8-1 20:29
为什么呢

一旦MOS开通，VBAT几乎全部降在R503上，MOS管的源极电压上升至接近VBAT；
此时的Vgs不能使MOS维持导通状态，要维持导通，此时的Vgs需要比源极电压更高才行。
琢磨一下先。

cauhorse 发表于 2016-8-1 20:38
一旦MOS开通，VBAT几乎全部降在R503上，MOS管的源极电压上升至接近VBAT；
此时的Vgs不能使MOS维持导通状 ...

懂了   非常感谢 非常感谢

20K电阻和MOS对调位置，那100K电阻也根着搬下来就ok了

sq0100 发表于 2016-8-1 21:26
20K电阻和MOS对调位置，那100K电阻也根着搬下来就ok了

问题是，20K电阻可能并不是真的负载，负载还在后头。。。。。

戈卫东 发表于 2016-8-1 22:55
问题是，20K电阻可能并不是真的负载，负载还在后头。。。。。

是，这么改也不行，有好的解决办法吗

这里并没有选择，只有用个P型MOS管才是最简单可靠方便

R503  20K电阻太大，mos管打开的时候压降大，抬高S极的电压，相当拉低Vgs，又打不开mos管了

很简单 ，要控制电源端 用PMOS

要控制 地端  采用NMOS

戈卫东 发表于 2016-8-1 23:00
这里并没有选择，只有用个P型MOS管才是最简单可靠方便

我把R503改成10M欧姆，之后输出变成4.5，这是为什么呢

不管是P还是N沟道，这样设计都很难导通；

N沟道：要导通，输入电压>(VBAT+3V)

用N沟道的是可以的。