[文档下载] N76E003AT20和STM8S003F3P6技术指标对比

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 楼主| VERTEXSEMI 发表于 2016-11-1 10:39 | 显示全部楼层 |阅读模式
N76E003AT20
• 1T/8051 1T超值单片机,8051我们更熟悉的经典内核;
• 18KB Flash ROM:优于8KB Flash,而且18KB的闪存空间,全部都可以作为资料存储空间应用;
• 1024B SRAM
• 17+1个输入口:优于最多支持16GPIO
• 2*UART, I2C ,SPI :优于SPI/I2C/UART(多一个UART)
• 8ch of 12bit ADC :优于5通道10bit ADC
• 6ch of individual duty PWM :优于3PWM输出;
• 10KHz LIRC for WDT reset / WKT
• 16MHz HIRC ±1% Room temp. ±2% full condition
• -40~105 ℃ 温度范围更宽;
• 2.4V5.5V更宽的供电电压范围;
• TSSOP20 / QFN20
• ESDEFTHBM/8KV MM/400V,Over 4KV,优异的ESDEFT,抗干扰和ESD防护能力;


N76E003AT20

N76E003AT20

N76E003AT20替代STM8S003F3P6.pdf

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chenpads 发表于 2016-11-1 13:55 | 显示全部楼层
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ncs28182966 发表于 2016-11-2 13:38 | 显示全部楼层
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funnyguo 发表于 2016-11-9 10:48 | 显示全部楼层
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