测试电路的目的是验证理论的，理论搞不清，测试还有何意义？
关于类似电路，网上好多误导性的言论:
《一般接crystal内部的芯片电路，原理上就是一个非门电路，非门在微观电路上可以看成一个增益个别大的放大器，接一个电阻，你可以看作是反馈电阻，它的作用是让震荡器更加稳定的工作。
这个电阻是为了使本来为逻辑反相器的器件工作在线性区, 以获得增益, 在饱和区是没有增益的, 而没有增益是无法振荡的. 如果用芯片中的反相器来作振荡, 必须外接这个电阻, 对于CMOS而言可以是1M以上, 对于TTL则比较复杂, 视不同类型(S,LS...)而定. 如果是芯片指定的晶振引脚, 如在某些微处理器中, 常常可以不加, 因为芯片内部已经制作了, 要仔细阅读DATA SHEET的有关说明。
晶振旁的电阻（并联与串联）
一个晶振电路在其输出端串接了一个22K的电阻，在其输出端和输入端之间接了一个10M的电阻，这是由于连接晶振的芯片端内部是一个线性运算放大器，将输入进行反向180度输出，晶振处的负载电容电阻组成的网络提供另外180度的相移，整个环路的相移360度，满足振荡的相位条件，同时还要求闭环增益大于等于1，晶体才正常工作。
晶振输入输出并上电阻作用是产生负反馈，保证放大器工作在高增益的线性区，一般在M欧级，输出端的电阻与负载电容组成网络，提供180度相移，同时起到限流的作用，防止反向器输出对晶振过驱动，损坏晶振。
和晶振串联的电阻常用来预防晶振被过分驱动。晶振过分驱动的后果是将逐渐损耗减少晶振的接触电镀，这将引起频率的上升，并导致晶振的早期失效，又可以讲drive level调整用。用来调整drive level和发振余裕度。
Xin和Xout的内部一般是一个施密特反相器,反相器是不能驱动晶体震荡的.因此,在反相器的两端并联一个电阻,由电阻完成将输出的信号反向 180度反馈到输入端形成负反馈,构成负反馈放大电路.。
并联M级电阻作用：
1.配合IC内部电路组成负反馈，移相，使放大器工作在线性区。
2.降低谐振阻抗，使谐振器易启动。
3.电阻取值从100k-20M都可以正常起振，但会影响脉宽比。
串联K级电阻作用：
1.和晶振串联的电阻常用来预防晶振过驱，限制振荡幅度。
并联在晶振上的两颗电容一般取值为20-30pf左右，主要用于微调频率和波形，并影响幅度。
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