N沟道增强型MOS管耗尽层的疑惑？

发表于 2011-9-5 20:52

GS加上正向电压的时候，为什么一开始的时候只排斥空穴，而不吸收自由电子，形成耗尽层。而是等到GS电压达到一定程度后，才开始吸收自由电子?

发表于 2011-9-6 20:38

木有人？？？

发表于 2011-9-8 09:04

自己看书，不是不吸收电子，而是还不能呢过达到那么大的电压，还没有到两个沟道

发表于 2011-9-8 09:41

大侠，我就是看了书之后不明白才发帖问的。我认为排斥空穴和吸收电子应该是等价的，既然能把空穴排斥出去，就应该能把自由电子吸收进来。所以我个人感觉不应该有耗尽层（当然这种看法肯定是错误）。
3# ssy250