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Si1539CDL被击穿

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 楼主| fxch520 发表于 2019-9-17 16:24 | 显示全部楼层 |阅读模式
CD, MOS, MOS管, 原理图, 电平
原理图如下所示，使能Ctrl_PWR_H_ON 高电平后，MOS管很容易被击穿损坏，帮忙分析下啥原因，谢谢

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zhaomb 发表于 2019-9-18 15:53 | 显示全部楼层
本帖最后由 zhaomb 于 2019-9-18 16:03 编辑

烧坏原因就是P管的VGS超过-20V了。P管的栅极连接是错误的，电阻R13上端应该接24V,不是接3.3V，电阻R13下端应该再串一个同样的电阻到N管的漏极，以保证VGS大于-20V
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 楼主| fxch520 发表于 2019-9-19 11:28 | 显示全部楼层
zhaomb 发表于 2019-9-18 15:53
烧坏原因就是P管的VGS超过-20V了。P管的栅极连接是错误的，电阻R13上端应该接24V,不是接3.3V，电阻R13下端 ...

嗯，是的，分压解决了！
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tianxj01 发表于 2019-9-19 11:37 | 显示全部楼层
哪有这样驱动的，N MOS怎么关，栅极电压最高也只有3.3V，P MOS是永远关不掉的。不知道你MOS栅极耐压是多少？如果N MOS导通，会不会超过栅极耐压直接杀P MOS。
R13接到DC24V，根据栅极耐压，选择合理的电阻，串联到N MOS和R13之间，让P管栅极耐压不超过其正常值。
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