LM3S9B90的PHY问题

1、在电源有干扰到3V左右时，CPU的工作正常，GPIO与UART无重启的显示；但是有时PHY的数据收发会不正常。
2、PHY的防护好像比较若，加了保护电路在EMC测试时，还是容易打坏。同样的保护台湾产的交换芯片都没问题。
LM3S9B90的版本为C5，外部复位加了2.93v的811。
大家有遇到类似问题没？

台湾芯片的接口多为增强保护的

1. 以太网属于高速的设备，对干扰的抵抗能力肯定不如UART或者MCU本身。
在电源不好的情况下，能影响PHY收发的因素也很多，除了芯片本身外，电路及PCB设计等也都会有影响。楼主试试别的板子吧，不行的话用TI本身的开发板试试，看看是不是有类似问题。如果开发板什么的都正常，楼主可以考虑下改进硬件设计。

2. 芯片本身的ESD级别可以参考说明书，M3里面VESDHBM是2KV。不知道楼主那里ESD是做多少KV的？台湾那个产品的ESD是多少KV的？如果本身ESD级别不一样，EMC测试结果不同也是很正常的。

不是ESD.
按 GB/T 17626.5 电磁兼容 试验和测量技术 浪涌(冲击)抗扰度试验进行；
信号线发生器波形8/20us，内阻2Ω，差模2KA，共模3KA。
加了3级防护。在RS232上类似的保护电路是可以的。网口上容易坏。

之前看错了楼主的问题，不好意思，浪涌防护的话不太懂。

楼主可以把加的防护发上来，还有连接头等情况。这样大家可以帮忙分析下。

都发上来吧 我也好好看看分析下

没碰到过。留印看结果。

是否可以提供以太网部分的参考设计，包括PCB部分的Layout帮你分析。
诸如以太网变压器附近的走线，RJ45的外壳TVS管保护，RX,TX收发数据线的布线等都很重要

付9B90网口的保护PCB.采用气体放电管加TVS（4个快恢复+1个TVS）的2级保护模式。这个电路与参数在使用IC+的IP175D上可以通过6KV测试，按照常规电路IP175D只能过500V,2KV都过不了。现在9B90可以过4KV,6KV很难测试。

看了你的PCB，关于以太网PCB及布局建议如下:
1. 以太网信号线下面不要布置电源线避免没有必要的容性耦合。避免有其他的信号和以太网信号线交叉布局。PHY与变压器的距离应该小于2英寸。
2. 差分对信号线需要布局在同一PCB板层(e.g., TX+, TX-, RX+, RX-). 差分对信号线之间的距离应小于700mils, 需要避免RX和TX之间出现交叉耦合。
3. 在MCU和变压器之间保留部分地线的好处：
为10pF的滤波电容提供低阻抗的连接点来提高EMC. 有了参考地，阻抗容易控制，没有参考地的情况下，PCB微小的变化将会产生巨大的影响。

我要好好学习了。

4# 123天高云淡
台湾产PHY的保护电路与9b90相同吗？布局也一样？

感谢hansonhe的建议。
10楼： 看了你的PCB，关于以太网PCB及布局建议如下:
1. 以太网信号线下面不要布置电源线避免没有必要的容性耦合。避免有其他的信号和以太网信号线交叉布局。PHY与变压器的距离应该小于2英寸。
<<在以太网信号线下面，基本已经没有电源。
2. 差分对信号线需要布局在同一PCB板层(e.g., TX+, TX-, RX+, RX-). 差分对信号线之间的距离应小于700mils, 需要避免RX和TX之间出现交叉耦合。
<< 差分对信号线之间的长度差异在100mil以内，线对间距>3W;
3. 在MCU和变压器之间保留部分地线的好处：
为10pF的滤波电容提供低阻抗的连接点来提高EMC. 有了参考地，阻抗容易控制，没有参考地的情况下，PCB微小的变化将会产生巨大的影响。
<<后来也加了10pF的电容。加了电容会降低驱动能力，传输距离小于100米。

现在我再加了一级TVS管，已经通过了6kv/3KA的测试。
实际来看9B90的防护比专门的PHY/SWICTH要稍微差些。要比普通电路更强的防护。