[技术讨论] (三极管+MOS) & (MOS+MOS)组合电路

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 楼主| QWE4562009 发表于 2021-8-9 15:56 | 显示全部楼层 |阅读模式
(三极管+MOS) & (MOS+MOS)组合电路

导通的时候,三极管+MOS比MOS+MOS组合更耗电,但是更可靠,我发现直接用单片机驱动MOS有出现过导通不充分的隐患!大家说哪种方式更好?可以从多个角度分析

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LcwSwust 发表于 2021-8-9 16:12 | 显示全部楼层
楼主的目标是?
 楼主| QWE4562009 发表于 2021-8-9 18:06 | 显示全部楼层
LcwSwust 发表于 2021-8-9 16:12
楼主的目标是?

低功耗
 楼主| QWE4562009 发表于 2021-8-9 18:10 | 显示全部楼层
LcwSwust 发表于 2021-8-9 16:12
楼主的目标是?

你知道为什么MOS就功耗更低不
LcwSwust 发表于 2021-8-10 08:33 | 显示全部楼层
QWE4562009 发表于 2021-8-9 18:10
你知道为什么MOS就功耗更低不

我想问的是你这电路用来干啥的?为啥看起来有点复杂。
MOS管功耗更低是因为它的门极不消耗电流。
coody 发表于 2021-8-10 09:32 | 显示全部楼层
直接用单片机驱动MOS有出现过导通不充分的隐患? 不同意!MOSFET导通是否充分,跟你给的栅压有关,如果你的MOSFET用5V就能深度饱和,就不存在你说的导通不充分的说法,如果你的导通不充分,说明你的栅压不够,没用对管子。
QuakeGod 发表于 2021-8-10 14:17 | 显示全部楼层
同意楼上说法
 楼主| QWE4562009 发表于 2021-8-10 17:29 | 显示全部楼层
coody 发表于 2021-8-10 09:32
直接用单片机驱动MOS有出现过导通不充分的隐患? 不同意!MOSFET导通是否充分,跟你给的栅压有关,如果你的 ...

那比如单片机是3.3V的  你有哪些MOS可以推荐
 楼主| QWE4562009 发表于 2021-8-10 17:35 | 显示全部楼层
coody 发表于 2021-8-10 09:32
直接用单片机驱动MOS有出现过导通不充分的隐患? 不同意!MOSFET导通是否充分,跟你给的栅压有关,如果你的 ...

你用3.3V去控制4.2V  你试试就知道了
coody 发表于 2021-8-10 23:24 | 显示全部楼层
QWE4562009 发表于 2021-8-10 17:35
你用3.3V去控制4.2V  你试试就知道了

这种电路用得多,没有问题。是你的电路或零件没选好。
jazzyfox 发表于 2021-8-12 16:24 | 显示全部楼层
关键是要用低驱动电压的MOS管
 楼主| QWE4562009 发表于 2021-8-12 18:21 | 显示全部楼层
jazzyfox 发表于 2021-8-12 16:24
关键是要用低驱动电压的MOS管

你有没有推荐?关注哪个参数?
jazzyfox 发表于 2021-8-12 18:59 | 显示全部楼层
QWE4562009 发表于 2021-8-12 18:21
你有没有推荐?关注哪个参数?

si2301,就是耐压比较低
linguanghua 发表于 2021-8-13 09:15 | 显示全部楼层
R12和两个二极管是多余的吧。
 楼主| QWE4562009 发表于 2021-8-13 18:49 | 显示全部楼层
jazzyfox 发表于 2021-8-12 18:59
si2301,就是耐压比较低

SI是哪个公司的
jazzyfox 发表于 2021-8-14 08:35 | 显示全部楼层

好多公司都有
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