如何创造nandflash数据错误触发ECC数据纠错

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 楼主| feikeer 发表于 2021-8-10 16:23 | 显示全部楼层 |阅读模式
使用NUC970 官网自带的mtd层nuc970_nand.c 驱动,硬件BCH ECC 已正确开启,如何制造一个nandflash 层ECC错误,并触发数据纠错,有什么办法? 有没有谁做过类似测试的。

评论

项目需要SD NAND存储芯片吗,可以送样测试,13537608950  发表于 2024-3-7 18:00
skyred 发表于 2021-8-10 17:54 | 显示全部楼层
感觉好深奥
一周一天班 发表于 2021-8-10 18:17 来自手机 | 显示全部楼层
写后改个数据再写就会
幸福小强 发表于 2021-8-10 22:09 | 显示全部楼层
故意写个错的?
 楼主| feikeer 发表于 2021-8-11 08:42 | 显示全部楼层
一周一天班 发表于 2021-8-10 18:17
写后改个数据再写就会

就是不能这么做,改了写回去,驱动自动重新计算ecc码了。
jasontu 发表于 2021-8-11 09:04 | 显示全部楼层
本帖最后由 jasontu 于 2021-8-11 10:18 编辑

NAND controller 是硬件作的auto correcting
可以把spare area 的ecc parity code 手动反转1个位元作測試,看資料是不是會反轉
蓝月电子 发表于 2021-8-11 11:02 | 显示全部楼层
有些深澳  挂SPI FLASH
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