[开发资料] 4级读保护等级设置

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 楼主| forgot 发表于 2024-12-10 08:25 | 显示全部楼层 |阅读模式
FLASH 存储器擦写以及读保护:通过寄存器进行FLASH存储器的擦写保护,通过 ISP 指令进行 4 级读保护等级设置。

‒ LEVEL0
无读保护,可通过 SWD 或者 ISP 方式对 FLASH 进行读取操作。
‒ LEVEL1
FLASH 读保护,不可通过 SWD 或 ISP 方式读取。可通过 ISP 或者 SWD 接口降低保护等级到LEVEL0,降级后 FLASH 处于整片擦除状态。
‒ LEVEL2
FLASH 读保护,不可通过 SWD 或 ISP 方式读取。可通过 ISP 接口降低保护等级到 LEVEL0,降级后FLASH 处于整片擦除状态。
‒ LEVEL3
FLASH 读保护,不可通过 SWD 或 ISP 方式读取。不支持任何方式的保护等级降级。

LOVEEVER 发表于 2024-12-12 09:13 | 显示全部楼层
芯源MCU可以通过 ISP 指令进行 4 级读保护等级设置
小小蚂蚁举千斤 发表于 2024-12-19 16:25 | 显示全部楼层
其实一般就1-2级优化,太高可也出问题的
tpgf 发表于 2025-1-4 14:47 | 显示全部楼层
LEVEL3是最高级别的读保护,一旦设置,无法通过任何方式降级
xiaoqizi 发表于 2025-1-5 17:28 | 显示全部楼层
在LEVEL0级别下,没有任何读保护措施,用户可以通过SWD或ISP方式自由地对FLASH进行读取操作
木木guainv 发表于 2025-1-5 19:11 | 显示全部楼层
在LEVEL0状态下,如果设备落入不当之手,内部存储的程序代码可以被轻易地读取出来,存在被复制或篡改的风险。因此,这一级别通常不推荐用于产品发布前的最终固件状态
Jiangxiaopi 发表于 2025-1-5 21:01 | 显示全部楼层
在LEVEL2级别,不仅禁止了通过SWD或ISP方式读取FLASH,而且还禁止了从RAM启动,增强了安全性
荣陶陶 发表于 2025-1-5 22:49 | 显示全部楼层
LEVEL1级别提供了基本的读保护,禁止通过调试接口如SWD或ISP直接读取FLASH内容
Zhiniaocun 发表于 2025-1-6 10:31 | 显示全部楼层
可以通过ISP或SWD接口将保护等级从LEVEL1降级到LEVEL0,以便进行必要的读取操作
小夏天的大西瓜 发表于 2025-1-8 21:16 | 显示全部楼层
一般默认优化等级
OKAKAKO 发表于 2025-1-22 11:05 | 显示全部楼层
基本上优化等级都保持默认就可以
星辰大海不退缩 发表于 2025-1-23 18:44 | 显示全部楼层
基本上都是默认参数
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