MOSFET 选型不合理

Rdson 过大：MOSFET 在导通时的 导通电阻过高，导致功耗增加。

功耗计算：P = I² × Rdson

Vgs 不够高：如果 NMOS 的 Vgs 没有达到推荐值，某些 MOS 需要 10V-12V 以上才能完全导通，会导致 NMOS 处于半导通状态，增加功耗。

MOSFET 额定电流太小，导致 过流发热。

解决方案：

选择 低 Rdson 的 MOSFET，比如 Rdson < 10mΩ 的型号。

适当提高 PWM 驱动电压，确保 NMOS 彻底导通 可使用 12V 供电驱动。

选择 额定电流更高的 MOSFET，以保证足够的余量。

所以要综合考虑选型问题。

开启 电压是完全开启还是开一部分，这个跟三极管一样不

选择额定电流更高的MOSFET，那是不是意味着成本也会相应增加

MOSFET选型时，Rdson是个关键参数

如何确保Vgs的稳定性，避免因电压波动导致的问题呢

如何通过测试来评估MOSFET的性能呢

如何及时检测到MOSFET是否出现过流发热的情况呢

如果 Rdson 较大，在通过电流时会产生较高的功率损耗，从而导致电路发热。