IGBT7系列分立器件核心知识点整理

IGBT：IGBT全称绝缘栅双极晶体管，它是由BJT和MOSFET（组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT是在VDMOSFET基础之上演化发展而来的，结构十分相似，主要不同之处是IGBT用P+衬底取代了VDMOS的N+衬底，形成PNPN四层结构，正向导通时J1结正偏，发生一系列反应，产生PN结电导调制效应，从而有效降低了导通电阻和导通电压，增大了IGBT的流通能力。IGBT具有电导调制能力，相对于功率MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT稳定性比MOSFET稍差，强于BJT，但IGBT耐压比MOSFET容易做高，不易被二次击穿而失效，易于高压应用领域。