写EEPROM模拟的时候Flash老被擦坏，是写得太频繁？

用了官方提供的EEPROM模拟方案，结果一测寿命就快到头了，是不是哪里写入逻辑不合理？

我最后换了带真EEPROM的芯片偷懒。

Flash寿命有限，不建议频繁写。

ST官方的EEPROM模拟库有寿命管理机制。

数据一样的就别重复写。

分页轮换写可以减轻磨损。

检查是不是每次都擦整页？

我加了缓存判断是否需要更新。

把写入频率降下来效果很好。

HAL库自己不会判断内容变化。

EEPROM模拟区域分大点也能延长寿命。