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[STM32F1] STM32F1使用12.5pF晶振时不起振，但去掉匹配电容后正常

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 楼主| probedog 发表于 2025-7-8 15:54 | 显示全部楼层 |阅读模式
STM32F1, 匹配电容, 晶振, 使用
STM32F1使用12.5pF晶振时不起振，但去掉匹配电容后正常。
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szt1993 发表于 2025-7-8 19:38 | 显示全部楼层
与电容有关系？理论上不应该的
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BG7DQDOK 发表于 2025-8-8 15:18 | 显示全部楼层
这是选的晶振封装不对或负性阻抗不满足
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uytyu 发表于 2025-8-11 22:20 | 显示全部楼层
晶振负载电容不匹配              
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chenci2013 发表于 2025-8-12 01:05 | 显示全部楼层
晶振的负载电容 需与外部匹配电容 形成谐振回路，若匹配不当会导致不起振或频率偏移。
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minzisc 发表于 2025-8-12 03:08 | 显示全部楼层
优化布线减少寄生电容              
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updownq 发表于 2025-8-12 11:43 | 显示全部楼层
PCB布局不合理会引入额外杂散电容，影响晶振起振。
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iyoum 发表于 2025-8-12 13:30 | 显示全部楼层
建议匹配电容值应为晶振负载电容的两倍
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jtracy3 发表于 2025-8-12 14:51 | 显示全部楼层
匹配电容的精度应足够高，建议使用NPO/COG类型的电容。
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kmzuaz 发表于 2025-8-12 15:49 | 显示全部楼层
选择驱动能力更强的晶振              
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abotomson 发表于 2025-8-12 17:29 | 显示全部楼层
晶振下方未铺地或未使用隔离区，易受噪声干扰，降低起振可靠性
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minzisc 发表于 2025-8-12 18:14 | 显示全部楼层
晶振的频率稳定性受温度、电源电压等因素影响，需考虑这些因素对晶振性能的影响。
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yeates333 发表于 2025-8-12 18:36 | 显示全部楼层
部分晶振对负载电容敏感              
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primojones 发表于 2025-8-12 19:34 | 显示全部楼层
超出晶振的驱动能力              
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lzbf 发表于 2025-8-12 20:05 | 显示全部楼层
仅依赖PCB杂散电容  和晶振内部电容，可能偶然接近晶振的启动条件
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tabmone 发表于 2025-8-12 21:09 | 显示全部楼层
并联1MΩ电阻              
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cemaj 发表于 2025-8-12 21:46 | 显示全部楼层
晶振可能对匹配电容的值非常敏感              
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ccook11 发表于 2025-8-12 22:15 | 显示全部楼层
晶振是系统时钟的基础，不起振会导致MCU无法正常工作。
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loutin 发表于 2025-8-14 14:35 | 显示全部楼层
可能增加杂散电容              
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janewood 发表于 2025-8-14 15:10 | 显示全部楼层
在无源晶振电路中并联1MΩ电阻可改善起振条件，尤其在低驱动能力晶振中
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