菜鸟请教,如何才能提高51单片机访问外部SRAM的速度?

最近做一个东西,是将采样到的周期信号存储到外部SRAM中,用的是6264,思路是这样的,当AD转换结束一次则把采样到的结果存储一次(外部SRAM).存储程序如下:
         uchar xdata *add_ad_h;
    *add_ad_h=AD_H;
    add_ad_h++;
    *add_ad_h=AD_L;
    add_ad_h++;

采用指针移动外部SRAM的地址,AD转换结束标志接的是外部中断0,为了提高采样率,采用的是查询方式.现在发现的是,在存储数据的时候,速度太慢了.也就是数据还没有完全存到外部SRAM的时候,AD就转换完成了.这样的话就限制了采样速度了.不知道如何编写程序才能提高对外部SRAM的访问速度.请高手指点.非常感谢.

SRAM又不是FLASH和EEPROM，如果说因为代码的效率不高，可内嵌汇编了

贴出你的汇编代码看看、算一算，还有，说出AD的参数。

同时尽量采用较高的工作时钟频率。

市面上的都是旧货、拆机货、翻新货。而且还很贵。
至少用62256，便宜。

uint xdata *add_ad_h;
*add_ad_h++ = (AD_H<<8) | AD_L;

补充一下,AD采样率是100K,转换周期是6us.单片机晶振是12M,现在我采样的是两路5OHz信号,通过多路开关切换,定时器定时20ms,即采样一个周期.采样到的点数总共只有不到300个点,一路信号也就最多150个点.这样算来的话也就是差不多66us一个点.现在我想的是能再提高点,能采样400个点.不知道该如何提高.请高手指点一下.现在把中断程序贴一下:
while(ad_end!=1)        //等待定时标志,定时20ms;                
   {
      if(IE0==1)           //查询外部中断0标志;
    {
      ET1=0;
      sp++;
      RD=0;
      P0=0xff;     
      AD_L=P0;       //AD转换低位;
      AD_H=P1;       //AD转换高四位;
      RD=1;
      if(HB==0)                //存储UH信号；
        {
          *add_ad_h=AD_H;            //uchar xdata *add_ad_h;
          add_ad_h++;
          *add_ad_h=AD_L;
          add_ad_h++;
          P2=gain_UB;
        }
    else                    //存储UB信号；
       {
          *add_ad_b=AD_H;
          add_ad_b++;
          *add_ad_b=AD_L;
          add_ad_b++;
          P2=gain_UH;        
       }
    MUL^=1;                      //信号选择;
    HB=MUL;
    *add_ad=0x48;                //启动AD转换;
    ET1=1;
    }
}

我把  
               *add_ad_h=AD_H;            //uchar xdata *add_ad_h;
          add_ad_h++;
          *add_ad_h=AD_L;
          add_ad_h++;
这部分编译的结果贴出来大家看看,是否还有精简的余地
   957:                 *add_ad_h=AD_H; 
C:0x08B8    852B82   MOV      DPL(0x82),0x2B
C:0x08BB    852A83   MOV      DPH(0x83),add_ad_h(0x2A)
C:0x08BE    E532     MOV      A,AD_H(0x32)
C:0x08C0    F0       MOVX     @DPTR,A
   958:                 add_ad_h++; 
C:0x08C1    052B     INC      0x2B
C:0x08C3    E52B     MOV      A,0x2B
C:0x08C5    7002     JNZ      C:08C9
C:0x08C7    052A     INC      add_ad_h(0x2A)
   959:                 *add_ad_h=AD_L; 
C:0x08C9    F582     MOV      DPL(0x82),A
C:0x08CB    852A83   MOV      DPH(0x83),add_ad_h(0x2A)
C:0x08CE    E534     MOV      A,AD_L(0x34)
C:0x08D0    F0       MOVX     @DPTR,A
   960:                 add_ad_h++; 
C:0x08D1    052B     INC      0x2B
C:0x08D3    E52B     MOV      A,0x2B
C:0x08D5    7002     JNZ      C:08D9
C:0x08D7    052A     INC      add_ad_h(0x2A)

6楼的建议是改为
uint xdata *add_ad_h;
*add_ad_h++ = (AD_H<<8) | AD_L;
之前我也是这么用的,但是前段时间在一本书上看到,在对外部SRAM操作的时候最好不要用整型数据类型,这样会降低访问速度.现在都还不是很明白原因是什么。
刚才也修改了一下,如果用上面的程序的话,确实会慢一点.
请指教,谢谢.

关键是要用高速单片机（如c8051f120等）及高速SRAM，软件优化“油水”不大。

再好的CPU，如果软件做的不好，都可能变得慢如蜗牛

1、用更快的频率或处理器（增强型51）；比如Winbond W77系列，40M晶振。。。
2、实在不行可以加个CPLD做简单的总线模拟；
3、代码确实可以优化；

最主要是把
while(1)
{
}
这一段封装为一个函数，然后放到一个单独的C文件里，把这个C文件编译成SRC（汇编源代码），优化之。根据单片机的指令手册，算一下是否符合要求。

  看你的汇编，每次是先增加了指针变量，再把指针变量写到DPTR，你干脆直接操作DPTR算了。
  不知道这样的写法能不能通过 
  DPTR=add_ad_h;
  *DPTR++=AD_H;
  *DPTR++=AD_L;
  add_ad_h=DPTR;

 要是不能这样写的话，你直接嵌汇编吧.

我不是指所有的软件优化，只是指楼主的问题而言，因软件只是将读到的AD值存入SRAM，所以我说“软件优化“油水”不大”。因我有类似的实践，弄不好还得“DMA”。

感觉也是“油水不大”，即使直接用汇编也还是“油水不大”，换具有双DPTR的51，可能有一点点油水，但依然属于虾米腿榨油的那么点油水。

一种方法是可以用快一些的 MCU, 比如 C8051 等，价格会贵一些。

再一种方法是 DMA，就是把 AD 的输出直接送到 SRAM，MCU 只需要控制总线信号就可以了。

MOV @DPTR,A;   ;// 才2uS啊,难道还不快吗
是你的思路不对吧，要快就用中断嘛。。。