【关于拉扎维的模拟CMOS集成电路设计，请教几个问题】

各位大牛好，怀着一颗学习的心，请教江湖中的各位大神

1.请问 书中p34页有这样一句话，与BJT不同，MOS器件即使没有传输电流也可能导通··，请问如何理解。

2.如何理解，沟道夹断后，就是当Vds> vg-vth时，仍然有电流，但是VG小于或接近Vth时，可以认为关断或者有压阀值电流，这亚阀值电流与导通电流显然是不同的。但是有效沟道的缩短，夹断的那部分，应当是离子固体，或者不是？请教高人，如果是，为何有电流，如果不是，那么请问是什么？

3.既然空穴可以看做电子的反运动，假设一个电子向左，那么必有一个空穴向右，为何书上对于PMOS的介绍指出，OMOS具有较低的电流驱动能力？，空穴的迁移率为何是电子的1/4-1/2，我对空穴的理解有问题？

4.

请问为什么CFB一开始就很大····很难理解··。

5。请问书中，如何解释源极看到的电阻变小了。

全是半导体物理方面的问题，只有自己找本半导体物理方面的书慢慢看了，注:像刘恩科的[半导体物理]之类的书，空空范谈，没多少用，找专门研究MOS管的专著看。

xukun977 发表于 2014-2-14 09:44
全是半导体物理方面的问题，只有自己找本半导体物理方面的书慢慢看了，注:像刘恩科的[半导体物理]之类的 ...

您好，我学的是模拟电路设计，请问可以忽略这些半导体方面的问题而先专注于电路设计吗？这样有可能实现吗？或者我不得不解决这些问题？

即使你专注于设计，简单的定性了解也是必要的。
现在有不少优秀的英文书，专说MOST，大概只占用你1个月左右。
也可以先大致理解一点，遇到相关问题再回头查书。