[STM32F1] STM32F10x内部flash操作的基址怎么设置?

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 楼主| zxb1717 发表于 2014-2-24 15:46 | 显示全部楼层 |阅读模式
我想利用STM32F10x内部flash保存一些参数,查阅相关资料,上面说主存储区地址是从0x08000000开始的,我的理解是主存储区前面放代码,后面剩余的空间才可以用来当做用户的数据存储区,也就是说如果代码占了20Kbyte,那么用户的数据存储空间要从0x08000000+20*1024开始,不知道理解对不对,请高手解答一下,谢谢
airwill 发表于 2014-2-24 19:53 | 显示全部楼层
理解正确, 不过涉及到擦除操作必须整页操作, 一定要注意页边界
mmuuss586 发表于 2014-2-24 20:44 | 显示全部楼层
对的,不过读写比较长。
例程里也有读写参考程序
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