21ic问答首页 - 造成开关电源内部损耗的原因有哪些
相关问题
- 关于背光源芯片资料的寻求!!!!0 回答
- GD32F407VGT6 开关机测试后芯片短路烧毁,排查硬件故障原因8 回答
- GD32H757ZMT6 RTC 问题13 回答
- 新手的小小疑问22 回答
- 在准备电子设计大赛的电源方向,能给新手提供一些建议吗3 回答
- 怎么用multisim搭建一个零线断路的故障模型?0 回答
- 用PMOS做开关的电路,开关按下PMOS导通,电路为啥不行呢6 回答
- 电路板的地与金属机箱是否连接?3 回答
- 开关电源无Y电容设计0 回答
本周活跃用户
- 1
SophiaOP回答 7 次
- 2
CarterERO回答 6 次
- 3
AloneKaven回答 6 次
- 4
班杰明回答 6 次
- 5
Jacquetry回答 6 次
- 6
埃娃回答 5 次
- 7
MessageRing回答 5 次
- 8
ClarkLLOTP回答 5 次

问答
赞0
首先是启动电路。启动电路从输入电压获得直流电流,使控制IC和驱动电路有足够的能量启动电源。如果这个启动电路不能在电源启动后切断电流,那么电路会有高达3W的持续的损耗,损耗大小取决于输入电压。
第二个主要方面是功率开关驱动电路。如果功率开关用双极型功率晶体管,则基极驱动电流必须大于晶体管集电极e峰值电流除以增益(hFE)。功率晶体管的典型增益在5-15之间,这意味着如果是10A的峰值电流,就要求0.66~2A的基极电流。基射极之间有0.7V压降,如果基极电流不是从非常接近0.7V的电压取得,则会产生很大的损耗。
功率MOSFET驱动效率比双极型功率晶体管高。MOSFET栅极有两个与漏源极相连的等效电容,即栅源电容Ciss和漏源电容Crss。MOSFET栅极驱动的损耗来自于开通MOSFET时辅助电压对栅极电容的充电,关断MOSFET时又对地放电。
评论
2020-12-04
您需要登录后才可以回复 登录 | 注册