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请各位看一下这个电路的驱动原理

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楼主: 喵帕咝
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21楼
ytg689| | 2015-9-9 09:11 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览
喵帕咝 发表于 2015-9-8 16:02
请问接地的R1有什么用呢？Q1处需要加一个电阻接地吗？

R1有两个作用：1.作为Q1的偏置电阻，与Q1的G-S极并联分流，防止Q2导通时造成对Q1的冲击。
                      2.R1又是Q1G极的中和电阻，当单片机送来低电平时，Q2截止，Q1 G极的静电通过R1，R2迅速中和掉，使Q1可靠截止断开，M就停止。

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22楼
mbutterfly| | 2015-9-9 09:12 | 只看该作者
songchenping 发表于 2015-9-8 20:46
设置两个MOS管是为了降低启动时的风险吧。尤其是单片机端在上电时的波动或者是突然断电的误操作。 ...

chunyang老师说的对，如果单片机在上电之后，程序工作之前，IO口默认输出是高电平的，为了避免这个暂时的高电平带来的影响，应该用负逻辑驱动。

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23楼
lvyunhua| | 2015-9-9 09:19 | 只看该作者
个人觉得用一个也可以的。

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24楼
tb3358292| | 2015-9-9 09:26 | 只看该作者
想问下，第一个NMOS管可以这样接吗，100K电阻不是应该接在VCC端吗？

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25楼
eyesee2008| | 2015-9-9 10:35 | 只看该作者

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26楼
冰零分子| | 2015-9-9 11:20 | 只看该作者
tb3358292 发表于 2015-9-9 09:26
想问下，第一个NMOS管可以这样接吗，100K电阻不是应该接在VCC端吗？

你把R1去掉Q1还能导通吗

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27楼
tb3358292| | 2015-9-9 13:26 | 只看该作者
冰零分子 发表于 2015-9-9 11:20
你把R1去掉Q1还能导通吗

我意思不是把R1去掉，而是把R1接在Q1的源极与VCC之间。
请问这两种接法有什么不一样吗？

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28楼
冰零分子| | 2015-9-10 11:30 | 只看该作者
tb3358292 发表于 2015-9-9 13:26
我意思不是把R1去掉，而是把R1接在Q1的源极与VCC之间。
请问这两种接法有什么不一样吗？ ...

R1处没有电阻，Q1的栅极就永远拉低了，在Q2导通的时候R1可以把Q1的栅极电压拉高

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29楼
xzkkzx| | 2015-9-10 16:08 | 只看该作者
用一个管子就可以了，Q1栅极对地要留个电阻放电，不然影响Q1开关速度

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30楼
tb3358292| | 2015-9-10 17:39 | 只看该作者
冰零分子 发表于 2015-9-10 11:30
R1处没有电阻，Q1的栅极就永远拉低了，在Q2导通的时候R1可以把Q1的栅极电压拉高 ...

可能是我没表述清楚，我的意思是把图换成下面的这个图[img][C:\Users\shelly\Desktop/img]，与楼主的图有什么不一样？

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31楼
tb3358292| | 2015-9-10 17:42 | 只看该作者
tb3358292 发表于 2015-9-10 17:39
可能是我没表述清楚，我的意思是把图换成下面的这个图[C:\Users\shelly\Desktop/img]，与楼主的图有什么 ...

第一次发图片，在发一遍 [img][C:\Users\shelly\Desktop\电路图.png/img]

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32楼
tb3358292| | 2015-9-10 17:44 | 只看该作者
tb3358292 发表于 2015-9-10 17:42
第一次发图片，在发一遍 [C:\Users\shelly\Desktop\电路图.png/img]

电路

电路图.png (18.73 KB )

电路图.png

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33楼
cjseng| | 2015-9-10 17:49 | 只看该作者
tb3358292 发表于 2015-9-10 17:44
电路

你这样弄就变成了低电平触发了

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34楼
cjseng| | 2015-9-10 17:55 | 只看该作者
mbutterfly 发表于 2015-9-9 09:12
chunyang老师说的对，如果单片机在上电之后，程序工作之前，IO口默认输出是高电平的，为了避免这个暂时的 ...

这个问题就比较复杂了，单片机程序工作之前，IO不一定是高电平，哪怕就是传统的51单片机，也不能保证是高电平。
电压从0V上升至VCC过程中，晶振有个起振过程，这个过程中，IO是什么状态还真不好说。
同样，断电时，IO状态也会有失控的过程。
在楼主这个应用中，IO失控期间，电机会不会动一下也不一定啊。

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35楼
tb3358292| | 2015-9-10 18:26 | 只看该作者
cjseng 发表于 2015-9-10 17:55
这个问题就比较复杂了，单片机程序工作之前，IO不一定是高电平，哪怕就是传统的51单片机，也不能保证是高 ...

为了避免上电和断电误触发，有什么好的方法避免吗？

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36楼
cjseng| | 2015-9-11 00:10 | 只看该作者
本帖最后由 cjseng 于 2015-9-11 00:13 编辑
tb3358292 发表于 2015-9-10 18:26
为了避免上电和断电误触发，有什么好的方法避免吗？


我来做的话，我会把电机的电源单独供电，确保上电时比单片机电源慢，断电时比单片机电源断电快。
在单片机能正常工作的最低点压之前，就把电机的电源切断，比如单片机可以在2.5-5.5v正常工作，那么我就把电压低于3V时，切断电机电源。

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37楼
wf.yang| | 2015-9-11 07:24 | 只看该作者
喵帕咝 发表于 2015-9-8 16:02
请问接地的R1有什么用呢？Q1处需要加一个电阻接地吗？

第一个FET截时，当一个下拉电阻吧，多少有点抗干扰作用，也为第二个FET的栅极电容提供放电通路。

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38楼
冰零分子| | 2015-9-11 09:05 | 只看该作者
tb3358292 发表于 2015-9-10 17:44
电路

我直接以为你要把R1拿掉换成导线了

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39楼
冰零分子| | 2015-9-11 09:14 | 只看该作者
tb3358292 发表于 2015-9-10 17:44
电路

这是受放大电路的影响了吧:)

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40楼
mbutterfly| | 2015-9-11 09:40 | 只看该作者
cjseng 发表于 2015-9-10 17:55
这个问题就比较复杂了，单片机程序工作之前，IO不一定是高电平，哪怕就是传统的51单片机，也不能保证是高 ...

低电平驱动至少没出现过问题，很多单片机IO口都有上拉电阻的，不指定是IO输出低，是不会低的。

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