引言
本文介绍信号调节的一些原理。我们利用压电传感器来阐述这些原理，因为其调节要求综合使用许多传统工具，并且此类传感器具有一些其他类型传感器所没有的挑战。 压电传感器
用于感应和激励的压电传感器应用延伸到了许多领域。本文主要介绍对一些物理强度的感应，即加速度、振动、振荡和压力，从传感器及其要求信号调节的角度来看其可以被认为是类似的。1就加速度而言，传感器灵敏度通常被表示为一个与外力即加速度（大多数时候称作重力加速度 g）成比例关系的电荷。然而，从严格物理意义上来讲，传感器输出一个实际由其变形/偏斜情况决定的电荷。 例如，图 1 显示了安装于顶部位置的一个传感器，与此同时底部正受到一个外力的拉拽，即 Fext。在使用加速计的情况下，固定端（顶部）会粘附在要测量加速度的物体上，同时外力为粘附于另一端（底部）的质量的惯性，而这一端不断想要保持静止。就固定于顶端的参考坐标系而言（假设传感器充当的是一个弹簧，其具有很高的弹簧系数 K），偏斜 x 会形成一种反作用力： 最终，质量（传感器偏斜）将会在下列情况下停止移动/改变： 图 1加速度力作用下的传感器 由于电荷 Q 与偏斜成比例关系（一阶），而偏斜与力成比例关系，因此 Q 与力也成比例关系。施加一个 Fmax 最大值的正弦力，会形成一个 Qmax 最大值的正弦电荷。换句话说，当正弦力为最大值时，对来自传感器的电流求积分可得到Qmax。增加正弦波的频率，同时会增加电流；但是会更快地达到峰值，即保持积分 (Qmax) 恒定。厂商会以传感器可用频率范围内 Qmax 与 Fmax 的比率，来说明灵敏度规范。但是，由于传感器的机械性质，传感器实际上有谐振频率（可用频率范围以上），其中一个即使很小的振荡力都会产生相对较大的偏转，从而得到较大的输出振幅。 如果忽略谐振的影响，则我们可以将压电传感器一阶建模为一个与传感器寄生电容（此处称作 Cd）并联的电流源，或者也可以将其建模为一个与 Cd 串联的电压源。该电压为存储电荷时在传感器阳极上看到的等效电压。但是，我们需要注意的是，就许多应用的仿真而言，第二种方法要更加简单一些。如前所述，电流与偏斜变化的速率成比例关系；例如，拿恒幅加速度的正弦 AC 曲线来说，电流生成器的振幅必须根据频率来改变。 最后，如果这种生成器需要代表实际物理信号，则可以使用变压器，如图 2 所示。本例中，我们建模了一个具有 0.5 pC/g 灵敏度和 500 pF 寄生电容的生成器。正弦波生成器每单位 g 输出 1V，以实现仿真。变压器在其次级线圈将它向下调节至 1mV。施加给 C1（500 pF）的 1-mV 摆动，将会如我们预计的那样在下一级注入 Q = VC = 0.5 pC。 图 2 压电传感器模型
电荷放大器分析
图 3 显示了经典电荷放大器的基本原理，其可以用作一个信号调节电路。这种情况下，我们选择电流源模型，表明传感器主要为一种带高输出阻抗的器件。 输入阻抗
信号调节电路必须具有非低的输入阻抗，以收集传感器的大部分电荷输出。因此，电荷放大器是理想的解决方案，因为只要放大器在这些信号频率下保持高增益，其输入便会让传感器信号出现虚拟接地。换句话说，如果传感器的任何电荷想要在传感器阳极 (Cd) 或者放大器输入寄生电容 (Ca) 上增大，在放大器输入端就会形成电压。通过拉或吸取相同量的负反馈网络电荷电流，即 RFB 和 CFB，这种电压便立即得到了补偿。 图 3 用于信号调节的电荷放大器 增益
由于放大器的信号输入为虚拟接地，因此输入电流形成了一种输出电压摆动；并且高频增益由 CFB 的值设定（RFB 影响减小，在“带宽”部分后面再进行叙述）。请注意，电容越小，增益越大。增益的近似值为： 还需注意，电路增益根本上并非取决于传感器的电容 (Cd)，但最好还是注意该值对噪声的影响。 带宽
为了能够正确地对放大器进行偏置（为放大器输入偏置电流提供一个 DC 路径），一个反馈电阻 (Rf) 是必需的。在更低频率下，反馈路径的电容电路变为开路，而反馈电阻变为主要电阻，从而有效降低增益。在较高频率下，电容电路的阻抗变得更小，从而有效消除电阻反馈通路的影响。对AC 物理激励的最终电路响应（包括传感器的寄生电容），为高通滤波器的响应，其极频为： 相关信号带宽由应用决定；因此，降低电容增加增益的同时，也需要增加电阻来保持低极频。增加电阻会影响解决方案的其他方面。除影响噪声以外（在“噪声”部分详细介绍），电阻越高，实际实现就越难—难在寻找到现成的电阻，以及保证 PCB 的线迹到线迹寄生电阻大于 RFB 本身。如果电路规范允许使用几百兆欧量级的电阻，则表面贴装电阻马上就可以使用2，并且不要求使用先进的布局技术（例如使用防护频带等）。 如前所述，限制电阻值增加的另一个因素是电路偏置。放大器的输入偏置电流通过该电阻，形成输出偏置电压。通过选用具有低输入偏置电流的放大器，例如：FET 输入放大器等，可以最小化这种电压。只要反馈电阻器值低于 1GΩ，并且可以利用各级之间的 AC 耦合来滤波产生的偏置，那么这种放大器的输入偏置电流（一般低于 100pA）就应该没有问题。 请注意，由于保持高通滤波器低极频存在困难，因此在近 DC 应用中使用压电传感器也变得越来越困难（尽管传感器本身的漏电流非常小）。 尽管并非该放大级的组成部分，但也需要在某处添加一个低通滤波器，旨在降低电路对传感器谐振频率下无用信号的响应，同时降低相关频带的总数字化和混叠噪声。 噪声
最后，我们需要最大化信噪比 (SNR)。在进行仿真以前进行简单的理论噪声分析会有所帮助。图 4 显示了电荷放大器的主噪声源。输出噪声谱密度可以表示为： 其中 图 4 电荷放大器的噪声源 且s = 2πfj。方程式 5 为电荷放大器的经典噪声解决方案。相对于 Cd，Ca 一般非常小。因此，方程式 5 可以简化为： 实际上，如果考虑使用高通滤波器极频以上频率，则可以进一步减小第二项： 我们可以使用几种方法来对各种趋势进行分析。极点（RfbCfbS + 1 项）可以被看作是恒定，因为增加 RFB 会要求降低 Cfb，反之亦然。从这个角度来看，增加 RFB 会增加方程式 8 的三项。第一项相应的电压噪声会随 Rfb 线性增加；第二项相应的电压噪声也会增加；第三项相应的电压噪声会随 RFB 的平方根增加，因为 ERFB= ，其中 k=玻耳兹曼常数，而 T=凯氏度温度。然而，由于 CFB 变得更小，增益会随 RFB 增加（参见方程式 3）。随 Rfb 增加而出现的信号增加，与方程式 8 中前两个噪声项的所有增加相似，但大于最后一个噪声项的增加，从而改善了总 SNR。归根结底就是要尽可能多地增加 Rfb。需要注意的另一个趋势是从噪声角度来看，传感器的寄生电容越多，传感器就越不那么理想。 仿真结果
为了获得更为实际的电路实施，我们选用了TI 的 OPA337。这款放大器拥有低输入电压和低输入电流噪声（请参见图 5，其截取自产品说明书3），同时接受 3-V 单极电源。图 6 显示了 TI SPICE型仿真程序中这种电路的模型，即 TINA-TI™。 图 5 OPA337 的输入电压和输入电流噪声 图 6 使用 OPA337 的电路 TINA-TI 模型 这种实施中，极点为 0.86 Hz。我们可以在 5 Hz 下对方程式 7 进行分析，以仔细检查公式的精确度： - 在第一项中，如果INA ≈ 0.01 fA/
 ，且 RFB =270 MΩ，则该项对输出噪声的贡献值约为 (2.7 nV/ /5.85=0.5 nV/ 。 - 在第二项中，如果EA ≈ 60 nV / ，则这一项对输出噪声的贡献值约为 120nV / 。
- 在第三项中，如果RFB = 270MΩ，则这一项对输出噪声的贡献值约为(2μV/ /5.85=340 nV / 。
把所有这三项二次方相加，得到约 360 nV / ，其接近图 7 的仿真结果。但是，需要注意的是所用噪声值不同于图 5 所示数据表值。OPA337 的 TINA-TI 噪声模型并不精确，通过对图 8 所示简化电路进行仿真并得到图 9 所示结果（其应与图 5 所示一样），可以证实这一点。 图 7 所示模型的输出噪声仿真 图 8 放大器噪声分析的 TINA-TI 仿真电路 图 9 所示电路的输出噪声仿真 这些结果突出了进行一次快速理论/工艺分析的重要性。该放大器电路并不准确，需要在 TINA-TI 中解释说明，以获得实际数值。我们可以在参考文献 4 中找到完成这项工作的方法，其为 Art Kay 关于噪声的重要系列文章的第四部分。一种稍微更简单的方法是，只需将噪声（图 10 中的 Vnoise 和 Inoise）添加到图 8 所示电路，以对缺少项进行补偿。 图 10 添加至图 8 所示电路的噪声 尽管不是很完美，但图 11 所示结果看起来比图 9 所示结果要更加接近于规范。 图 11 所示电路的输出噪声仿真 图 12 添加噪声源后图 6 电路的 TINA-TI 模型 利用图 6 所示原始电路，我们使用最初指定的一些噪声值，可以通过方程式 7 再次估算出 5Hz 的噪声。
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