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请教：为什么我的IRF640老烧

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楼主: chenczy
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21楼
shao_hx| | 2009-6-24 16:39 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览

MOSFET属于电平控制，达到开门电平就导通

    MOSFET是由开门电平控制导通与关闭的，当栅极电压达到开门电压的时候就导通。不知道C19,C20有何用！MOSFET的控制最好是上升和下降沿很陡的方波。因为这样开关的过程中耗散功率是最小的！导通的时候电流虽大，但管子压降小，耗散功率就小，关的时候虽然承受的压降较大，但是电流几乎为零，功耗也很小！但是C19和C20的存在，会是控制波形的上升和下降沿变缓，在开启和关闭的过程中，U很大，I也很大，P=UI可知耗散功率很大，会造成很大的发热量，而对于MOSFET器件来说，热量是致命的！希望用示波器观察一下他的栅极波形！
    另外，在MOSFET的源极和漏极间通常会并联一个比导通压降稍大的稳压管，用来保护管子！

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22楼
shao_hx| | 2009-6-24 16:43 | 只看该作者

补充一点

补充一句，MOSFET也可是可以工作在放大区间的，应尽量避免使其工作在放大区！之所以要用上升和下降比较陡的方波来驱动，就是为了避免其工作在放大区的时间过长，导致管子烧掉！

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23楼
wjh1978| | 2009-6-26 10:13 | 只看该作者

我也在做一个你这样的电路

我也在做你这样一个逆变电路，其中我认为你的频率太高了，频率降点吧，我降到了20KHZ,然后你的C23,C47在频率降下来后去掉，电阻改为10欧姆的就可以了，还有导致管子热的就是你的阻容吸收电路，你还是从新匹配一下吧，

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24楼
xwj| | 2009-6-26 10:30 | 只看该作者

13楼正解，另一个帖中美看到这个参数

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25楼
icecut| | 2009-6-26 17:25 | 只看该作者

1m的确太狠

你见过谁开关电源用这个频率了???/

驱动波形需测量.

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26楼
山智| | 2009-7-2 21:38 | 只看该作者

频率太高了，驱动不够管子工作在线性，

关断不及时，导通电阻过大，耐压不够，死区时间不够。。。都会引起管子发热而烧掉。

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27楼
山智| | 2009-7-2 22:22 | 只看该作者

不过话又说回来，如果死区时间调得太大也会出麻烦，

上次一个和lz的电路类似的架构，静态的时候开关管发热，用示波器观察，如图，那个尖尖就是因为管子的死区内反向脉冲没有得到有效吸收所导致的。这种电压如果超出了开关管的极限承受是很危险的，虽然只有短短的几百nS。
当然，从楼主的电路中看到了吸收回路，这会好很多。

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