问个模拟电子的习题

只看该作者 · 2008-12-12 08:55

以下是童诗白版模电第二单一道自测题，下面是我找到的答案，可是不明白为什么是这答案，找习题答案书也都没讲为什么，或者说一两句，也没明白，求人帮忙解答啊！

四、已知图T2.3所示电路中VCC＝12V，RC＝3kΩ，静态管压降UCEQ＝6V；并在输出端加负载电阻RL，其阻值为3kΩ。选择一个合适的答案填入空内。
    （1）该电路的最大不失真输出电压有效值Uom≈      ；
           A.2V               B.3V               C.6V
    （2）当 Ui＝1mV时，若在不失真的条件下，减小RW，则输出电压的幅值将      ；
           A.减小               B.不变            C.增大
    （3）在 Ui＝1mV时，将Rw调到输出电压最大且刚好不失真，若此时增大输入电压，则输出电压波形将      ；
           A.顶部失真        B.底部失真        C.为正弦波
    （4）若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将      。
           A.RW减小            B.Rc减小            C.VCC减小
解：（1）A   （2）C   （3）B   （4）B

只看该作者 · 2008-12-12 10:42

2题和信号源内阻以及管子的特征曲线有关，不能一概而论。晶体管的放大倍数并不是随Ib增大而一直增长，Ib大到一定程度时，放大倍数反而下降。

3题根本题目都有问题，1mV输入，无论怎样调节Rw都不可能使输出满幅。

2万 · 2008-12-12 10:54

一下考理想三极管，一下又要考虑三极管特征曲线，
而且！！！
三极管特征曲线可是有正向AGC和反向AGC的，根本就不能一概而论！！！

所以，2、3题根本就是瞎扯蛋蛋！

至于4题，也得看假设的情况。

只看该作者 · 2008-12-12 11:04

能给个理由么?

只看该作者 · 2008-12-12 11:30

（1）分截止失真和饱和失真：截止失真电压约为UCEQ-UCES=6-0.3=5.7V；饱和失真电压为ICQ(RC//RL)=6/3*（1.5）=3V，取两者之间的小者3V，有效值除以1.4，约为2V；
（2）减小RW，IBQ增大，交流放大倍数增大，输出电压的幅值增大；
（3）调整RW，放大倍数增大，同时UCEQ减小，再增大输入将出现饱和失真，因此为底部截止；
（4）Rc减小，参考童诗白版模电2.3节，很详细。

只看该作者 · 2008-12-12 11:54

Ui＝1mV是有问题。
三极管特征曲线可是有正向AGC和反向AGC的，xwj能详细解释一下吗？
至于4题，也得看假设的情况，这个也说下

2万 · 2008-12-12 12:07

2万 · 2008-12-12 12:37

1）6/2*0.7 = 2.1

2）,3）考虑三极管的be正向输入特性。

4）显而易见

2万 · 2008-12-12 15:02

静态管压降UCEQ＝6V，并不等于输出电压摆幅是6V，而是以6V为原点上下波动，摆幅范围为VCC-BVceo，约11V

1万 · 2008-12-12 19:57

题目都看不懂

2万 · 2008-12-13 13:55

只看该作者 · 2008-12-14 21:40

我们这儿这几天断网了，所以现在才能看到大家的解答太高兴了！呵呵。刚才大略看了下，发现大家都考虑了其作为“习题”之外的许多东西，让我又一次感到了模电的深度，也看到了与大家的差距。

只看该作者 · 2008-12-15 10:32

又仔细看了看大家的答案，有如下看法：
      1.三楼xwj说的“正向AGC”和“反向AGC”我想应该就是二楼ljm810010说的“晶体管的放大倍数并不是随Ib增大而一直增长，Ib大到一定程度时，放大倍数反而下降”吧，不知道我理解的对不对。请6楼smileage参考。
      2.三楼xwj说第4题要看假设的情况，这个我也像ljm810010一样，想要知道理由。
      3.我想5楼smileage的答案是在习题层面上最理想的答案了（不是否定其它的答案啊），但我不知道“饱和失真电压为ICQ(RC//RL)=6/3*（1.5）=3V”是怎么来的，这个是我现在最想知道的。
      4.7楼PowerAnts第一题的答案跟5楼smileage的答案不一样啊，更加重了我对饱和失真电压计算的理解了，我想请两位或者其它的人能帮我解答。但我觉得PowerAnts对第二题的解答有问题，计算放大倍数时候您给出那个式子的分母好像只应该包含rbe,计算输入电阻才有那么一堆东西，且跟您写的也不一样，不知道是不是输入输错了，并且您给的第三题的答案我确定是错的。
     5.模电教材上Uces被明确定义为当基极与射极短路时加在集电极与发射极的反向击穿电压（童诗白第三版第31页），可是我又不止一次看到Uces被用来表示三极管饱和失真时的集电极临界电压（如5楼smileage对第一题答案中那样）我想弄明白，这两个用法是不是指的一个东西？或者他们之间有什么联系？

只看该作者 · 2008-12-15 10:58

学习了

2万 · 2008-12-15 11:07

第一题：
若不接入负载时其最大不失真电压范围是Vpp为12V（粗略考虑），而接入负载后，由于负载电阻和Rc阻值相同，这样一来Vpp为6V（同样是粗略考虑）。因此有效值就是3*0.7左右，近似为2V。

第二题、第三题：必须考虑三极管的be正向特性曲线，因为类似题目不会去考虑其电流源（ce）间的具体特性（一般认为是一个理想电流源串一电阻）。由于be间的动态电阻随Ibe的增加而减小，同样的输入电压，相应的变化电流将有所增加，所以就会影响到Ic幅度的变化，最终影响到增益。

至于第四题：相对来说简单多了，不用在此多费口舌了。

2万 · 2008-12-15 11:14

俺没把RL并上去，是该减半...面壁3天...

2万 · 2008-12-15 11:17

俺那个小测验满100贴后，帮俺把答案贴出去，俺马上开始面鼻了...

(半小时前发给你了)

2万 · 2008-12-15 11:20

只看该作者 · 2008-12-15 17:03

你第二题解答中的那个公式，童老师的书里的确没有，童老师的书给的公式是：            贝塔*Rc//Rl
           A=-----------------（见第三版第99页）
                   rbe
只不过，他这个rbe是一个等效值，也是由波尔滋曼常数及射极电流等变量等效而来的，所以我想应该跟你以前学的书里所述公式是一至的，只是表述方式不一样而已。
   但是，童老师书上给的公式里没有偏置电阻rb,rbe的等效过程也与rb无关。说真的我是怀疑你是不是在这一点上犯过我曾犯过的错误：我有好长时间算这个电压放大倍数时也把这个rb并在分母里的，因为共射电路的交流通路电路图很容易让人产生这个错觉（我觉得）。
    另外，我还是不明白接上负载后那个最大不失真电压怎么算。你给的那个式子“Uorms=0.7(VCC-BVceo)/2=3.8V~”里的BVceo是个什么变量？但这样算跟6楼HWM说的不一样啊！你怎么看他给出的？

只看该作者 · 2008-12-15 17:14

   我猜你是不是老师啊，因为见你有个贴子是关于整理过C++的教案！呵呵

   我对你给出的第一题的答案还是不明白，不加负载时Vpp约为12V这个好理解，但为什么加了负载，Vpp就变成了6V了呢？

   如果没有C2，负载直接藕合的话，Vpp值在加负载后肯定是6V了，但现在并不是直接藕合啊，C2是能隔直的，两个电路的结果碰巧就一样吗？应该不会吧？

    还还想问问那个B，E间短路时C，E间反向击穿电压Uces跟射极不饱和电压临界值Uces有什么关系啊？

问个模拟电子的习题

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不认同2、3答案

题目本身就有问题

23题和XWJ观点一样,至于4题......

分析

多一点

转折点决定晶体管的AGC特性

呵呵！有时简单的问题往往会搞复杂了

楼上没把晶体管电路完全弄懂

白天看了看，结果是

10楼：我说过6是摆幅吗？

多谢大家的解答！

上次发贴那两个“1mv”前把Ui露了，这次加上

三极管博大精深啊……

LZ：先从简单概念入手

唉呀，该面鼻去了

请HWM帮个忙

呵呵~~~

TO:PowerAnts

TO:HWM

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