有没有既简单又便宜的3.3V单向供电电路?

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 楼主| 小管 发表于 2015-10-22 01:14 | 显示全部楼层
457344370 发表于 2015-10-21 23:48
低压降的二极管还不如直接用个sot23封装的MOS管

用普通的肖特基也可以了。
NE5532 发表于 2015-10-22 08:45 | 显示全部楼层
二极管放到LDO前面去,用个小点的超级电容,例如0.1F,而不是普通电容,因为容量不够。剩余的电不用放掉,单片机空转,把BOR打开就可以了。
bluecup 发表于 2015-10-22 09:21 | 显示全部楼层
楼主为何非要等到关灯才办事?可以不纠结的嘛,呵呵
ColoredCrystal 发表于 2015-10-22 09:31 | 显示全部楼层
如果楼主只是想解决掉电保存数据问题,大可不必这么复杂,用铁电存储器就行了,和一般EEPROM一样,读写速度快,掉电不丢数据。
mcuzone 发表于 2015-10-22 13:36 | 显示全部楼层
把买809的钱换成一只大一点的铝电解,比如1000uF,放到肖特基后面,即LDO的输入端
5V通过电阻分压给单片机的ADC或者IO
放一只电容在LDO的输入端可以有效延长供电时间,如果LDO输入端没有大电容,仅靠LDO输出端的电容会出现一种潜在的问题,就是当掉电后,系统立马变成LDO后面这只电容供电了,如果ADC采用的就是LDO的输出作为VREF,那么这个ADC的输入相当于会被放大,也就是发现掉电的时间会滞后,至于滞后多久要看5V和3.3V端的负载强度了
598330983 发表于 2015-10-22 14:00 | 显示全部楼层
那就分立元件自己做一个啊。
chunyang 发表于 2015-10-22 20:51 | 显示全部楼层
在LDO的输入回路里串二极管隔离,储能电容要接在LDO的输入回路里(即楼主图中的C10要接在U6的pin3与地之间),不能接在输出回路,否则掉电时,LDO会成为负载,导致无谓的能源消耗且影响上电速度。
另外,将LDO用开关电源替换,同样的处理办法和储能电容容量会支持更长的时间且平时的功耗也更低。
zxcscm 发表于 2015-10-22 21:32 来自手机 | 显示全部楼层
songchenping 发表于 2015-10-21 18:45
其实楼主的25ms是完全可以满足的。不需要花那么大的力气在电路上的,掉电保护芯片检测到掉电后就开始保存重 ...

”掉电保护芯片”是什么样的?有没有具体型号?
 楼主| 小管 发表于 2015-10-24 22:49 | 显示全部楼层
ColoredCrystal 发表于 2015-10-22 09:31
如果楼主只是想解决掉电保存数据问题,大可不必这么复杂,用铁电存储器就行了,和一般EEPROM一样,读写速度 ...

保存的是敏感的数据,如果用EEPROM,有被别人读出的风险,所以保存在单片机的FLASH中,最起码要**掉单片机才会被读出。还有就是成本的问题。
 楼主| 小管 发表于 2015-10-24 22:50 | 显示全部楼层
mcuzone 发表于 2015-10-22 13:36
把买809的钱换成一只大一点的铝电解,比如1000uF,放到肖特基后面,即LDO的输入端
5V通过电阻分压给单片机 ...

你这个想法不错,谢谢了。现在电路已经定了,反正809也不贵,免得去用ADC采样了。
 楼主| 小管 发表于 2015-10-24 22:52 | 显示全部楼层
chunyang 发表于 2015-10-22 20:51
在LDO的输入回路里串二极管隔离,储能电容要接在LDO的输入回路里(即楼主图中的C10要接在U6的pin3与地之间 ...

没错,现在就是那么干的。
 楼主| 小管 发表于 2015-10-24 22:52 | 显示全部楼层
zxcscm 发表于 2015-10-22 21:32
”掉电保护芯片”是什么样的?有没有具体型号?

IPM809L,当电压低于4.63V时,会输出一个低电平。
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