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请问MOS管的GS之间的外置泄放电阻取值计算方法

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楼主: Nivans
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Nivans|  楼主 | 2015-11-12 11:15 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
本帖最后由 Nivans 于 2015-11-12 11:17 编辑
maychang 发表于 2015-11-11 13:34
管子型号,也许需要换,也许不需要。
无论哪种开关电源(逆变是开关电源的一种),管子的选择要看需要承受 ...

那你之前不是说上升沿35us,逆变是不能承受的吗?如果是这样的话,有没有简单的方法,能够使GS之间的米勒电容迅速充电。在下降沿的时候迅速放电,而不用外置泄放电阻。。。

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Lgz2006| | 2015-11-12 11:27 | 只看该作者
Nivans 发表于 2015-11-8 21:21
参差不齐

参差不齐,这就对了
它,不是电路工作状态下的参数电阻,或说,它在很大范围取值并不决定工作状况。
它,值的设计地位很次要,甚至即便去掉不用,也沒有觉察。
它,"值"严格设计已无必要,经验选取即可,可有数k~数百k之宽。
它,虽然逆变状态并不被依赖,但可靠性考虑却必不可少。
它,选值主要依据是驱动电流(或栅极电容或管功率)大小,参考同类。
它,就类BJT电路中的Rb-e,没人会严密考究计算。
楼主不必纠结,该粗当粗。若有给出精密算式,你也不必拘谨——因为真要认起真来,那些因素都很偏的。

当然,该考虑还是要考虑的:那就是〈标准的MOS驱动〉包含了低阻快速放电的。

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maychang| | 2015-11-12 12:23 | 只看该作者
Nivans 发表于 2015-11-12 11:15
那你之前不是说上升沿35us,逆变是不能承受的吗?如果是这样的话,有没有简单的方法,能够使GS之间的米勒 ...

16楼说过:“高速开关场合还是得靠有源器件关断。”
这就是你所要的“简单方法”。

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Nivans|  楼主 | 2015-11-12 21:36 | 只看该作者
Lgz2006 发表于 2015-11-12 11:27
参差不齐,这就对了
它,不是电路工作状态下的参数电阻,或说,它在很大范围取值并不决定工作状况。
它, ...

那这个电阻可以不要吗?

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Lgz2006| | 2015-11-13 13:12 | 只看该作者
“它,虽然逆变状态并不被依赖,但可靠性考虑却必不可少。”
这句话你没看懂?

k5,没看出它有“保護了驅動回路”的原理
“電阻最小值,以不影響驅動強度為原則”这个确实

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Lgz2006| | 2015-11-14 07:26 | 只看该作者
断电后的驱动回路对“电荷泄放”应视为〈开路〉!故此也为〈必须〉要它,而不是“甚至”要。

还是没有“保護了驅動回路”的原理

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Nivans|  楼主 | 2015-11-30 21:23 | 只看该作者
maychang 发表于 2015-11-12 12:23
16楼说过:“高速开关场合还是得靠有源器件关断。”
这就是你所要的“简单方法”。 ...

谢谢版主,:lol,看了一下有源器件,原来BJT、JEFT、MOS这类就是有源器件。看来俺还是要好好看书。

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