咨询STM32 FLASH模拟EEPROM问题

只看该作者 · 2015-11-17 18:30

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* 函数名: bsp_WriteCpuFlash
* 功能说明: 写数据到CPU 内部Flash。
* 形参: _ulFlashAddr : Flash地址
*          _ucpSrc : 数据缓冲区
*          _ulSize : 数据大小（单位是字节）
* 返回值: 0-成功，1-数据长度或地址溢出，2-写Flash出错(估计Flash寿命到)
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*/
uint8_t bsp_WriteCpuFlash(uint32_t _ulFlashAddr, uint8_t *_ucpSrc, uint32_t _ulSize)
{
......

FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY | FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);

/* 需要擦除 */
if (ucRet == FLASH_REQ_ERASE)
{
      status = FLASH_ErasePage(bsp_GetSector(_ulFlashAddr));
      if (status != FLASH_COMPLETE)
      {
         return 2;
      }
}

/*  */
for (i = 0; i < _ulSize / 2; i++)
{
      //FLASH_ProgramByte(_ulFlashAddr++, *_ucpSrc++);
      usTemp = _ucpSrc[2 * i];
      usTemp |= (_ucpSrc[2 * i + 1] << 8);
      status = FLASH_ProgramHalfWord(_ulFlashAddr, usTemp);
      if (status != FLASH_COMPLETE)
      {
         break;
      }

      _ulFlashAddr += 2;
}

   /* Flash 加锁，禁止写Flash控制寄存器 */
   FLASH_Lock();

   __set_PRIMASK(0);
...
}
假设传进来的变量：char[5]={0 };
这个函数接收进来的_ulSize值为5，，即数据为5个字节时候，那么这种保存方式第5个字节将丢失。

如果改：for (i = 0; i < (1_ulSize+1) / 2; i++) 防止最后一个数据丢失，
那么按半字存储近FLASH时候，循环到第三步时候,i=2

usTemp = _ucpSrc[2 * i]; 数组下标=4  （即第5个数据）
usTemp |= (_ucpSrc[2 * i + 1] << 8); 数组下标等于5，超出了数组上限将出错。

大家有没有更合理的存储方式？

只看该作者 · 2015-11-17 18:54

可以试试铁电存储器，富士通做这个，之前有活动送，我搞了4个芯片，无限次擦写