我自己的一个奇怪的做法

发表于 2009-4-22 11:08

增加一个电容使场管缓慢关闭,目的是减少di/dt
电容选择电解电容0.01uF,
同时这个电容也不能太大,否则关闭时间太长,管耗太大
是否可以减少di/dt ???
我的这个做法怎么样?
希望大家指点,谢谢

发表于 2009-4-22 11:19

发表于 2009-4-22 12:29

呵呵。

发表于 2009-4-22 13:47

发表于 2009-4-23 07:56

发表于 2009-4-23 23:09

15V和光偶的C之间应该有个电阻.

发表于 2009-4-27 08:28

是可以达到延迟关闭的效果。只是你这里的电容还不够大。

发表于 2009-4-27 09:28

奇怪的地方不是在光耦,也不是在于三极管,而是哪个并联电容
三极管和光耦是没有问题，是经过实验的，
至于加了电容后的延迟后果就不得而知

发表于 2009-4-27 09:46

你让三极管经过一个危险的过渡区，你算过最大的瞬时功率吗？

一般的做法是在电感两端加RC电路来实现。

发表于 2009-4-27 13:40

1 . 你的意思是指IRFP460场管(不S8550三极管)经过一个危险的过渡区
2 . 我看了其他的人在场效应管的栅极G加上一个约几十欧姆的电阻（图片当中的蓝色框框），也是为了IRFP460场管在上电的瞬间慢慢的由截止变为导通，也是经过一个过度区（防止突变），
为什么别人可以加一个电阻使场管经过一个过度区，而我不可以加一个小小的电容使场管经过一个过度区呢？？
3 . 你说电感加RC吸收,是不是下面的图片的做法
4 . 我的电感实际上是电机里面的线圈，采用的是下面结构，请问如果是加上RC吸收，RC是如何加的，加在那里？谢谢
https://bbs.21ic.com/upfiles/img/20094/2009427133646615.jpg
https://bbs.21ic.com/upfiles/img/20094/2009427133719517.gif

发表于 2009-4-27 13:43

发表于 2009-4-27 16:04

发表于 2009-4-27 16:38

用示波器看驱动波形，控制开通的尖脉冲为准

发表于 2009-4-28 15:54

code 发表于 2009-4-27 13:40 模拟技术 ←返回版面

10楼： awey 我们来一起探讨,好么??

1 . 你的意思是指IRFP460场管(不S8550三极管)经过一个危险的过渡区
2 . 我看了其他的人在场效应管的栅极G加上一个约几十欧姆的电阻（图片当中的蓝色框框），也是为了IRFP460场管在上电的瞬间慢慢的由截止变为导通，也是经过一个过度区（防止突变），
为什么别人可以加一个电阻使场管经过一个过度区，而我不可以加一个小小的电容使场管经过一个过度区呢？？
3 . 你说电感加RC吸收,是不是下面的图片的做法
4 . 我的电感实际上是电机里面的线圈，采用的是下面结构，请问如果是加上RC吸收，RC是如何加的，加在那里？谢谢

发表于 2009-4-28 17:11

1。你这个驱动电路的关断速度是由0.01U和20K的RC放电时间参数决定的，在放电到MOS管开通（关断）阀值附近时，MOS管进入线性工作区域，此时如果MOS管的损耗超过其最大允许值，会将MOS热死；
2。加电阻只是将开通时间延迟，并不能将关断时间增加（按着你的图来）；
3。要想减少MOS管的开关损耗，又想减少电感在其上面产生的尖峰电压，就应该想办法加吸收或缓冲电路（RCD，RLCD等）
4。你图上的那种加法是不行的，电容只有充电通道，没有泄放回路，应该将R与二极管并联，就OK啦
5。建议多看看高频电力电子技术，多了解开关电源驱动吸收这块的知识

发表于 2009-4-28 20:01

相关链接:https://bbs.21ic.com/upfiles/img/20094/2009428195837973.rar

我自己的一个奇怪的做法

相关帖子

楼主好象搞反了.

你光耦的接法很奇特

好象可以,但是MOS管画反了,另外光耦本身就是关闭缓慢的器件

奇怪的地方不是在光耦,也不是在于三极管,而是哪个并联电容

15V和光偶之间

我用过三极管类似的用法

我的意思是并联一个电容，延长关闭时间，降低di/dt

这种做法不可取

awey 我们来一起探讨,好么??

3 . 你说电感加RC吸收,是不是下面的图片的做法,谢谢!!

菜鸟来学习了．

很多家都有电容的，栅极要一个小电阻，

已经等待了两天了,希望awey同志能帮我这个忙

降低关断速度？

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