读日文翻译书也够折磨人的！

登录 · 发表于 2015-12-20 21:23

xukun977 发表于 2015-12-20 19:01
你看贴不仔细。
倘若是你说的这些，容易懂。
但我上面说的是小也稳定，大也稳定，不大不小（0•01--几uF ...

给你看一个TL431手册上的图，稳定、不稳定区域更复杂的情况

发表于 2015-12-21 09:00

AD797 发表于 2015-12-20 21:23
给你看一个TL431手册上的图，稳定、不稳定区域更复杂的情况

你这个图，不就是我说的＂小也稳定，大也稳定，中间不大不小的不稳定＂么？
感情说了半天，你根本没看鬼子那本书！

发表于 2015-12-21 09:10

xukun977 发表于 2015-12-21 09:00
你这个图，不就是我说的＂小也稳定，大也稳定，中间不大不小的不稳定＂么？
感情说了半天，你根本没看鬼 ...

你的理解力真让人着急啊
给你解释了为什么＂小也稳定，大也稳定，中间不大不小的不稳定＂，再给你一个更复杂的情况，让你知道再复杂也没什么大惊小怪的。得看模型！

发表于 2015-12-21 10:01

「控制上说，加电容可改善稳定性，也可以导致不稳定。电容大了，高频衰减大，从这边说，改善稳定，但电容大了，增加了相位滞后，使得相位裕度变小，甚至不稳定。所以•••••」

你这个解释利用了RC的频率特性，根据极点幅频图衰减特点，得出越衰越稳结论。又根据相应的相频图延迟滞后的特性，得出越滞后越稳定的结论。

也就是说，对于完全相同的一个东西（RC等效模型），仅仅是观察角度不同（看幅频关系？相频关系），便得出完全相反结论（前稳而后不稳）？！这就是小学语文中自相矛盾故事！

发表于 2015-12-21 10:27

xukun977 发表于 2015-12-21 10:01
「控制上说，加电容可改善稳定性，也可以导致不稳定。电容大了，高频衰减大，从这边说，改善稳定，但电容大 ...

我很无语，信号与系统或自控原理，你看得就是迷迷糊糊雨里雾里。
之前你还有个帖子是所谓的反常收敛域 https://bbs.21ic.com/icview-772136-1-1.html

发表于 2015-12-21 10:48

AD797 发表于 2015-12-21 10:27
我很无语，信号与系统或自控原理，你看得就是迷迷糊糊雨里雾里。
之前你还有个帖子是所谓的反常收敛域 ht ...

你看俺瞎猜你看，你会说有道理，而不会说：真无语！

为何CL大了很稳定？因为CL足够大，则输出端变为了主极点，CL就成了主极点补偿电容，自然是CL越大，主极点越低，f尚未到次极点处，幅频就衰减到1了，系统自然稳定了。
为何CL越小越稳定？因为CL小时，输出端对应的是次极点，当然是CL越小，次极点越高，可以想象，当次极点在2•2GBW处，相位欲度有60来度，系统当然稳定了。
CL不大不小时，刚好是上面两种情况的缝隙，自然不稳了。

以上观点，纯属瞎猜。诸君勿当真。

发表于 2015-12-21 11:23

xukun977 发表于 2015-12-21 10:48
你看俺瞎猜你看，你会说有道理，而不会说：真无语！

为何CL大了很稳定？因为CL足够大，则输出端变为了 ...

看模型看模型
不是一阶系统，当然会出现复杂情况。
一阶、二阶、三阶、以及参数不同，模型不一样情况不一样，看我的贴图，会出现随电容变化会出现稳定区域-不稳定区域-稳定区域-不稳定区域这种更复杂的情况有什么可奇怪的
根据模型，写个传递函数，matlab绘图，就出来了
当然，电子工程师没必要做真正这些仿真，知道就行，厂家手册或应用文档都比较清楚

登录 · 发表于 2015-12-21 11:24

确实，无语！

发表于 2015-12-21 11:27

xukun977 发表于 2015-12-21 10:01
「控制上说，加电容可改善稳定性，也可以导致不稳定。电容大了，高频衰减大，从这边说，改善稳定，但电容大 ...

如果模型只有一个RC，永远都是稳定的。
有复杂情况，说明不是这种一阶的情况。

发表于 2015-12-21 11:30

AD797 发表于 2015-12-21 11:23
看模型看模型
不是一阶系统，当然会出现复杂情况。
一阶、二阶、三阶、以及参数不同，模型不一样情况不一 ...

现在其实也不要写传递函数了，现在电路仿真软件直接绘相频幅频图。

发表于 2015-12-21 13:44

AD797 发表于 2015-12-21 11:23
看模型看模型
不是一阶系统，当然会出现复杂情况。
一阶、二阶、三阶、以及参数不同，模型不一样情况不一 ...

看模型？我给你个CMOS电路的一小部分--偏置电路，几个管子而已，你要是能看出或计算出其输出偏置电流是多少，我给你1k快钱！

分立件中用VBE=0•6V，加欧姆定律，管子偏置计算唾手可得。对于高性能模拟芯片，连门都没有。

发表于 2015-12-21 14:38

xukun977 发表于 2015-12-21 13:44
看模型？我给你个CMOS电路的一小部分--偏置电路，几个管子而已，你要是能看出或计算出其输出偏置电流是多 ...

我有不是微电子工程师，我又不造芯片，我只是用芯片而已。
知道芯片基本原理、结构、典型参数和特点即可。
如果要仿真，要搞到版图回来建模？我傻了？
告诉器件厂家一般提供模型，拿回来仿真，比如tl431:
http://www.ti.com/product/TL431/toolssoftware

发表于 2015-12-21 16:15

本帖最后由 duckduckgo 于 2015-12-21 16:20 编辑

许剑伟写过一篇《TL431 电路原理及频率特特性的研究》，里面详细讨论过这个问题。
http://www.fjptsz.com/xxjs/xjw/rj/100.htm
百度文库链接：http://wenku.baidu.com/view/1d99d818964bcf84b9d57bd1.html
有没有看的懂的。

发表于 2015-12-21 17:26

duckduckgo 发表于 2015-12-21 16:15
许剑伟写过一篇《TL431 电路原理及频率特特性的研究》，里面详细讨论过这个问题。
http://www.fjptsz.com/x ...

这篇**我10年看过，文中用了大量不合理的假设数据，仿真结果和厂家手册还能差不多，说明作者必定阅读过431包括频率响应在内的**，然后进行了迭代反推。

工程上，判断稳定性根本不能这样干，10来个管子，用小号字体计算了16页，起码耗掉3天时间！加上计算前要阅读文献，以帮助大致判断工作点和频率响应等，总共得1周左右。
太漫长了。。。
工程上肯定不会这么干的，而是简单地根据电路结构（共射？共基等），把晶体管放大级分成增益级和放大级两大类，进而数一下环内有几个增益级，就能判断出个大概了。
如果像许剑伟这样详细地计算一周，早下岗了。

发表于 2015-12-24 10:07

xukun977 发表于 2015-12-20 16:19
正道学分立件电路才2-3年，绝对是初学者。
不过学完IC再学分立，不像想象中那么难，而且有理论基础后再读 ...

楼主怎么学的IC和分离呀，我都是看小鬼子的书籍，但是小鬼子的书籍感觉东一榔头西一棒槌，

发表于 2015-12-24 13:00

国郭发表于 2015-12-24 10:07
楼主怎么学的IC和分离呀，我都是看小鬼子的书籍，但是小鬼子的书籍感觉东一榔头西一棒槌， ...

没有美军的相关理论基础，不易看懂日军过于简洁的设计。

当然，日军也有不少理论性很强的著作，美军也有实践性很强的设计类cookbook。

发表于 2015-12-25 12:55

xukun977 发表于 2015-12-24 13:00
没有美军的相关理论基础，不易看懂日军过于简洁的设计。

当然，日军也有不少理论性很强的著作，美军也有 ...

能否推荐点书籍或者给点建议学习的方法步骤，求大神指导

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