对NPN硅晶体三极管而言：
1、“Vce=Vbe≈0.7V”，是电路的一种特殊工作状态。理论上，一般把Vce=Vbe的状态称为临界饱和，Vce＜Vbe的状态则称为过饱和。当然，小功率BJT的饱和电压比大功率BJT的饱和电压要小，如小功率管可以小于0.4V，而大功率管则可以在1.0V以上。饱和压降值与三极管集电极电流大小相关，甚至于三极管所处的环境温度关系密切，但与晶体管功率容量无关。
2.三极管饱和时呈现低阻抗，类似于开关接通。理论上当Ub＞0，两个PN结均为正偏。Ib=Ibs时称临界饱和；Ib>>Ibs时称过饱和。Ibs为临界饱和基极电流，Ics为临界饱和集电极电流。Ibs=Ics/β。由于Ics≈Vcc/Rc；所以Ibs≈Vcc/βRc。
实际饱和条件： a. 两个PN结正偏。
b. Ib=Vcc/βRc临界饱和；Ib>>Vcc/βRc过饱和，
3. 随着晶体管的饱和,其集电极电压已经不等于集电极的电源电压,而是近似的等于发射极电压(可能略高于发射极0.1伏,视管子的饱和压降不同而不同).(Vcc不是Vc)集电结正偏,意思为: 集电极电压已经低于基电极电压.而基极电压因为PN结的箝位,存在不高于0.7V的势垒电压。根据基尔霍夫定理,在结点不可能有电荷堆积,流入晶体管的电流等于从晶体管流出的电流.这时,发射极电压最低,基极电压最高,集电极次之.基极电流是流入的,集电极电流也是流入的,只有发射极电流是流出的.即：不会有从基极到集电极的电流！
4. 从三极管结构来讲：在正向的Vbe电场作用下，发射极的电子注入基区，再扩散到集电结边缘。三极管未饱和时，集电结反偏的电压会把边缘的电子立刻吸引到集电极。可是当电流Ib逐渐增加，Ic也增加，扩散到集电结边缘的电子越来越多，电子浓度不断增加，集电结反偏势垒Vcb就会越来越小。当Ic大到使Vcb为0时，管子进入饱和，就不再有电场吸引这些结边缘的电子了，电子只能是扩散到集电极。当Ic再增加时，Vcb<0（Vb=0.7V，Vc=0.3V）,此时集电结就正偏了，会阻碍电子扩散了，但因为基区电子浓度太大了，电子继续扩散到集电极，能够满足Ic大小的要求。注意：Vcb<0集电结正偏并不是三极管外部电场导致的结果，而是由于基区的电子浓度远大于集电区由电子扩散所造成的！
注：扩散，全称分子扩散。在浓度差或其他推动力的作用下，由于分子、原子等的热运动所引起的物质在空间的迁移现象，是质量传递的一种基本方式。以浓度差为推动力的扩散，即物质组分从高浓度区向低浓度区的迁移，是自然界和工程上最普遍的扩散现象；以温度差为推动力的扩散称为热扩散；在电场、磁场等外力作用下发生的扩散，则称为强制扩散。 |
