5V~12V变4V

发表于 2009-10-22 08:53

"客户要求5V和12V插上去都能用"，那就用5V好了！

中颖单片机的有些电压范围是比较广的，3-5.5V都可以，完成没有必要选4V，3.3V,3.6V都行

发表于 2009-10-22 09:09

总算入了点门道,呵呵,再次感谢各位的帮忙,我继续研究下.
DCDC的意思是直流变（到）直流（不同直流电源值的转换），只要符合这个定义都可以叫DCDC转换器，包括LDO。但是一般的说法是把直流变（到）直流由开关方式实现的器件叫DCDC。
LDO是低压降的意思，这有一段说明：低压降（LDO）线性稳压器的成本低，噪音低，静态电流小，这些是它的突出优点。它需要的外接元件也很少，通常只需要一两个旁路电容。新的LDO线性稳压器可达到以下指标：输出噪声30μV，PSRR为60dB，静态电流6μA，电压降只有100mV。LDO线性稳压器的性能之所以能够达到这个水平，主要原因在于其中的调整管是用P沟道MOSFET，而普通的线性稳压器是使用PNP晶体管。P沟道MOSFET是电压驱动的，不需要电流，所以大大降低了器件本身消耗的电流；另一方面，采用PNP晶体管的电路中，为了防止PNP晶体管进入饱和状态而降低输出能力，输入和输出之间的电压降不可以太低；而P沟道MOSFET上的电压降大致等于输出电流与导通电阻的乘积。由於MOSFET的导通电阻很小，因而它上面的电压降非常低。
如果输入电压和输出电压很接近，最好是选用LDO稳压器，可达到很高的效率。所以，在把锂离子电池电压转换为3V输出电压的应用中大多选用LDO稳压器。虽说电池的能量最後有百分之十是没有使用，LDO稳压器仍然能够保证电池的工作时间较长，同时噪音较低。

如果输入电压和输出电压不是很接近，就要考虑用开关型的DCDC了，应为从上面的原理可以知道，LDO的输入电流基本上是等于输出电流的，如果压降太大，耗在LDO上能量太大，效率不高。

DC-DC转换器包括升压、降压、升/降压和反相等电路。DC-DC转换器的优点是效率高、可以输出大电流、静态电流小。随著集成度的提高，许多新型DC-DC转换器仅需要几只外接电感器和滤波电容器。但是，这类电源控制器的输出脉动和开关噪音较大、成本相对较高。
　　近几年来，随著半导体技术的发展，表面贴装的电感器、电容器、以及高集成度的电源控制芯片的成本不断降低，体积越来越小。由於出现了导通电阻很小的MOSFET可以输出很大功率，因而不需要外部的大功率FET。例如对于3V的输入电压，利用芯片上的NFET可以得到5V/2A的输出。其次，对于中小功率的应用，可以使用成本低小型封装。另外，如果开关频率提高到1MHz，还能够降低成本、可以使用尺寸较小的电感器和电容器。有些新器件还增加许多新功能，如软启动、限流、PFM或者PWM方式选择等。

总的来说，升压是一定要选DCDC的，降压，是选择DCDC还是LDO，要在成本，效率，噪声和性能上比较。

发表于 2009-10-22 09:11

这个芯片没有找到什么有用的资料,请问您那里有没?谢谢您的帮忙啊
17# emailli

发表于 2009-10-22 09:13

不好意思，打错了，是AP1117

AP1117有固定输出电压的，也有通过外部调整型的，你随便下载一个规格书都可以找到

发表于 2009-10-22 09:15

这个芯片没有找到什么有用的资料,请问您那里有没?谢谢您的帮忙啊
17# emailli

发表于 2009-10-22 09:19

不好意思，打错了，是AP1117

AP1117有固定输出电压的，也有通过外部调整型的，你随便下载一个规格书都可以找到
emailli 发表于 2009-10-22 09:13

明白了,谢谢,难怪没有找到什么资料,呵呵

发表于 2009-10-22 09:22

呵呵，这样用当然可以，但你计算过压差吗？

比如：输入5V时，输出能达到4V并保证戴在能力吗？
xwj 发表于 2009-10-21 17:37

确实这个我也不敢保证,看样子我还需要认真研究下,看看楼上几位提供的AP1117和AP1513的资料,谢谢您的帮忙

发表于 2009-10-22 09:32

"客户要求5V和12V插上去都能用"，那就用5V好了！

中颖单片机的有些电压范围是比较广的，3-5.5V都可以，完成没有必要选4V，3.3V,3.6V都行
smileage 发表于 2009-10-22 08:53

需要用的芯片电压在3.4V~5.5V间,我也是万不得已啊,呵呵

发表于 2009-10-22 16:46

回LZ 和16楼：

1. 16楼的电路没有大问题，一般情况下能够使用，但有些电阻（R5）过大，在5V情况下，电路的输出功率明显不足。单片机很可能没有足够的供电电流。
2. 在强干扰下，很容易造成4V输出电压瞬间降低，造成单片机复位或死机。
应做如下更改：
1. 将R5至少减小5倍。如果单片机需要的输入电流大的话，减小10倍也话也未必可以，同时还要考虑电阻的封装，很有可能需要0805甚至1206，1210的电阻。
2. 在TL431的K和Vref之间增加一颗1000pF的电容，输出端加至少10uF的稳压电容。
3. 三极管的选用也要注意甚至可以采用Nmos。

以上所说纯粹是个人意见。

发表于 2009-10-22 21:53

回LZ 和16楼：

1. 16楼的电路没有大问题，一般情况下能够使用，但有些电阻（R5）过大，在5V情况下，电路的输出功率明显不足。单片机很可能没有足够的供电电流。
2. 在强干扰下，很容易造成4V输出电压瞬间降低，造成 ...
草履虫发表于 2009-10-22 16:46

谢谢您这么详细的解答，我在弄下这个的硬件电路，看怎么样会好点！
再次感谢关注的所有人。

发表于 2009-10-22 23:25

1# tjx727

单片机本身没有多大的功耗的，
如果单片机外围电路功耗不大，
可以用输出电压可调的LDO，类似AS1117-ADJ之类的搞定
如果功耗大，对效率要求高
就上step-down电路
当然电路成本高一点，元件多一点

发表于 2009-10-23 14:30

1# tjx727 b

发表于 2009-10-23 14:31

不知道LM2576之类的东西能不能用啊！

发表于 2009-10-23 22:42

NCP5662不行吗。。。。

发表于 2009-10-23 22:42

NCP5662不行吗。。。。

发表于 2009-10-25 19:55

这种宽输入范围，可调电压输出的LDO芯片太多了，去TI,ON，ST等网一找就是一堆，选个驱动能力和噪声合适的就行。

发表于 2009-10-26 11:38

现在测得板子再供电电压为3.9V、电流为30mA左右的时候能够正常工作。随便用直流电源给个4V的电压就能够正常工作，但是我把我这个电源模块上面的4V接过去就根本不工作。
再次请教各位是否是电流不够的原因？有好的方法解决这个问题没？
现在的电路图如下：

登录 · 发表于 2009-10-26 11:49

上面的图没有发,在发次.
现在测得板子再供电电压为3.9V、电流为30mA左右的时候能够正常工作。随便用直流电源给个4V的电压就能够正常工作，但是我把我这个电源模块上面的4V接过去就根本不工作。
再次请教各位是否是电流不够的原因？有好的方法解决这个问题没？
现在的电路图如下：

发表于 2009-10-26 13:08

这个问题，就是我之前描述的。你把R1调小一些吧。
R1的大小和Q1的B值决定了电路的输出电流。
假定5V时，R1用1.3K的话，基极的电流最大只有0.2mA左右(5V-4V-0.7V)/1.3K，经100放大，输出电流最多也就20mA。
这只是理论值。
Tl431的工作时，也要吸入一部分电流（当然基本上可忽略不计），在这时, R1用的1.3K的话，明显太大了。再有，放大倍数在这种情况下，很难达到100倍。
目前只能改小R1，但要注意在12V时, R1是否能够承受那么大的电流。

发表于 2009-10-26 13:53

这个问题，就是我之前描述的。你把R1调小一些吧。
R1的大小和Q1的B值决定了电路的输出电流。
假定5V时，R1用1.3K的话，基极的电流最大只有0.2mA左右(5V-4V-0.7V)/1.3K，经100放大，输出电流最多也就20mA。
这只是理 ...
草履虫发表于 2009-10-26 13:08

分析得很准确,R1为130的时候,工作正常了,但是R1在12V的时候很烫,估计比较难以承受.这里应该用什么电阻呢?还是这种方案不行?
谢谢草履虫这么详细的解答!

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