IR2110驱动问题

只看该作者 · 2016-3-5 13:51

bald 发表于 2016-3-5 12:52
从图看，这是很正常的波形。栅极电位是随源级电位变化的，自举电容怎么换也没用。如果不一样那mos管就完蛋 ...

不好意思，“如果不一样那mos管就完蛋了”这句话我不明白；还有功率回路用二极管，在二极管导通的时候VS端电压不是负的二极管压降，接近0吗？

只看该作者 · 2016-3-5 13:55

戈卫东发表于 2016-3-5 13:51
这是正常波形。
电感放电结束振荡，所有这种电路都是这个波形，没有办法变的。 ...

那是否会像 “bald”兄说的那样，把下管换回MOS管可以消除震荡呢？我割板子试试。

1万 · 2016-3-5 14:02

cg虫二发表于 2016-3-5 13:55
那是否会像 “bald”兄说的那样，把下管换回MOS管可以消除震荡呢？我割板子试试。 ...

下管换成MOS管波形确实不应该振荡了。

只看该作者 · 2016-3-5 14:45

cg虫二发表于 2016-3-5 13:51
不好意思，“如果不一样那mos管就完蛋了”这句话我不明白；还有功率回路用二极管，在二极管导通的时候VS ...

这里一样变化是指栅极和源级，如果源级电压变化幅度那么大而栅极不变早就击穿了。这个波形构成是由充电回路、释放回路和反向泄放回路决定的。二极管只决定释放过程电压，反向泄放回路电压是由电源端决定的，如果改成mos管那么反向泄放回路就不走电源改走mos管了。改mos管还有一个好处，就是自举电容的充电回路成为低阻回路了。

只看该作者 · 2016-3-5 16:35

bald 发表于 2016-3-5 14:45
这里一样变化是指栅极和源级，如果源级电压变化幅度那么大而栅极不变早就击穿了。这个波形构成是由充电回 ...

谢谢您的解释。这个充电回路、释放回路和反向泄放回路指的都是电感充能和释放吗？反向泄放回路具体指什么？还有我电路中MOS管GS之间的二极管是否有必要？在GS间加一个电阻可以使帮助释放G级的电荷，但是这样HO就直接通过电阻接在VS上了，所以换成了二极管，但是现在看好像方向不对。

只看该作者 · 2016-3-5 17:13

释放回路我用的不准确，应该叫续流回路。反向泄放回路似乎也不准确，是指主回路续流完毕后电感电压突变后通过mos管内置二极管向电源反充电并被电源钳位。下管换mos管后这个过程就变为负载电容电荷经由下管放电（这个过程应该是设计要求的）。2012的输出应该是推挽的，栅源电容电荷经过2012电路释放应该快得多。所以这个二极管没有必要。就其方向而言也起不到释放栅源电荷。个人经验，为mos管安全起见，这个二极管可以换成阻值大一些的电阻（不小于20k）。

只看该作者 · 2016-3-5 18:46

lyjian 发表于 2016-3-5 08:21
这不是很正常的DCM波形吗?
HO的参考点是VS，不是GND

看的很仔细，VS接到了电感的左端，确实波形很正常

2万 · 2016-3-5 19:43

cg虫二发表于 2016-3-5 13:47
电感的选择我差不多是计算值的3倍啊。。。难道还不是CCM吗？不知道怎么从HO的波形来区分电感电流是否连续 ...

不是你用了比计算大的电感量它就应该是CCM。工作模式
除了与电感量相关外，和负载电流也有关
看不到波形后段的谐振波形后它就是CCM了

只看该作者 · 2016-3-6 20:25

bald 发表于 2016-3-5 17:13
释放回路我用的不准确，应该叫续流回路。反向泄放回路似乎也不准确，是指主回路续流完毕后电感电压突变后通 ...

1.非常感谢，下管换成mos管之后，波形真的差不多变矩形波了。但是在中间位置有一个折点，而且不管占空比怎么变，折点位置差不多保持不变，这是不是和自举电容充放电有关呢？
2.下管换成mos管之后，pid控制达到目标输出电压值变得非常慢，差不多0.1V每秒大小调节，试过重调pid参数，但是作用不大。
3.据说在下管两端并上一个二极管可以减轻mos管内部寄生二极管的压力，减少发热？试了之后，就实现功能上来说没有什么变化，连调节速度也差不多，所以不知是否真的有必要？

只看该作者 · 2016-3-6 20:26

lyjian 发表于 2016-3-5 19:43
不是你用了比计算大的电感量它就应该是CCM。工作模式
除了与电感量相关外，和负载电流也有关
看不到波形 ...

多谢指点，菜鸟学这个问题多多。。。

只看该作者 · 2016-3-7 10:19

bald 发表于 2016-3-5 17:13
释放回路我用的不准确，应该叫续流回路。反向泄放回路似乎也不准确，是指主回路续流完毕后电感电压突变后通 ...

这个是buck电路，buck电路输入电压一般大于输出电压，为啥会有反向泄放回路呢？除非电感电流释放完后，把电容的电压充到了比输入电压还大

只看该作者 · 2016-3-7 12:24

cg虫二发表于 2016-3-6 20:25
1.非常感谢，下管换成mos管之后，波形真的差不多变矩形波了。但是在中间位置有一个折点，而且不管占空比 ...

中间那个平台有两种可能：
1、上管驱动不足，栅源电压超过门槛电压后会向删漏电容充电充电完成后才会继续上升。这种情况下上管会非常热。
2、充电时死区时间过长，相应的放电死区时间几乎没有，此时下管会很热。
至于第二个问题比较复杂，恐怕不是单纯调整PID参数那么简单。可能需要在保证电感磁路充分复位的情况下尽量使用大占空比启动。因为稳态调节和启动调节区别很大。（考虑启动过程，在选择电感磁芯的时候要留足充分的裕量）

通常mos管内置二极管足够满足要求，如果附加二极管还要考虑二极管的散热问题。

只看该作者 · 2016-3-7 12:27

jinwenfeng 发表于 2016-3-7 10:19
这个是buck电路，buck电路输入电压一般大于输出电压，为啥会有反向泄放回路呢？除非电感电流释放完后，把 ...

呵呵，我说了用词不准确，有钳位过程叫吸收回路应该比较合适

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